[发明专利]雪崩光电二极管及其制作方法

说明书

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法。本申请旨在解决相关技术中的雪崩光电二极管的灵敏度低的问题。本申请的雪崩光电二极管包括基底，基底内的感测区设置有第一PN结和第二PN结，第一PN结对应的P型半导体和第二PN结对应的P型半导体电连接，第一PN结对应的N型半导体和第二PN结对应的N型半导体电连接。通过上述设置，使雪崩光电二极管具有两个PN结耗尽区，增加了PN结耗尽区的厚度，进而提高了PN结耗尽区对入射光的吸收效率，提高了雪崩光电二极管对光线的灵敏度。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法。

背景技术

雪崩光电二极管，是在硅或锗光电二极管的PN结上加反向偏压后，入射光被PN结吸收形成光电流，当加大反向偏压时会产生光电流成倍激增的现象。雪崩光电二极管具有响应度高、信噪比高、响应速度快的特点，被广泛应用于微光信号检测、长距离光纤通信、激光测距、激光制导等光电信息传输和光电对抗系统。

相关技术中，雪崩光电二极管包括基底、形成在基底上的P型半导体和N型半导体，P型半导体和N型半导体之间形成PN结。在PN结上加上反向电压后，当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子-空穴对，电子-空穴对在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，形成光电流，并且加大反向电压会使光电流成倍地激增。

然而，相关雪崩光电二极管的PN结较小，导致雪崩光电二极管灵敏度不足。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种雪崩光电二极管及其制作方法，以解决相关技术中的雪崩光电二极管的灵敏度低的技术问题。

本申请实施例提供了一种雪崩光电二极管，包括：基底，基底内的感测区设置有第一PN结和第二PN结，第一PN结对应的P型半导体和第二PN结对应的P型半导体电连接，第一PN结对应的N型半导体和第二PN结对应的N型半导体电连接。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，感测区内设置有第一N型半导体、第一P型半导体、第二N型半导体及第二P型半导体，第一N型半导体和第一P型半导体之间形成第一PN结，第二N型半导体和第二P型半导体之间形成第二PN结。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，第一N型半导体、第一P型半导体、第二P型半导体及第二N型半导体沿垂直于基底所在平面的方向依次布置。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，第一N型半导体在基底所在的平面内的投影与第二N型半导体在基底所在的平面内的投影完全重合，第一P型半导体在基底所在的平面内的投影与第二P型半导体在基底所在的平面内的投影完全重合。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，基底为P型基底，P型基底内设置有N型连接区，N型连接区与第一N型半导体和第二N型半导体连接。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，N型连接区在感测区外围围设成侧壁具有开口的环状，感测区内的P型基底通过开口处的P型基底与感测区外的P型基底电连接。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，基底具有相对设置的入射侧面和反射侧面，感测区对应的入射侧面上覆盖有防反射层。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，基底具有相对设置的入射侧面和反射侧面，感测区对应的反射侧面上设置有反射层。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，反射层包括金属层，金属层覆盖在感测区对应的反射侧面上。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，反射层还包括多晶栅层，多晶栅层包括多晶硅和金属，多晶栅层位于感测区对应的反射侧面与金属层之间。