[发明专利]一种金属氧化物介电层及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202111590980.1 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114373589B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;梁志豪;姚日晖;梁宏富;张旭;张观广;钟锦耀;李牧云;杨跃鑫;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01B19/00 | 分类号： | H01B19/00;H01B1/08 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 殷妹 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种金属氧化物介电层及其制备方法与应用。所述方法为：将含锆、铝、镁、铪和钇的无机金属盐溶于有机溶剂中得到前驱体溶液；将前驱体溶液旋涂于衬底上，进行预退火，然后进行热退火处理，得到高熵氧化物介电层薄膜。本发明利用五种常用介电材料元素（Al,Zr,Mg,Y,Hf）的协同作用和熵的主导作用来制备高熵金属氧化物薄膜，并通过增加小半径原子‑Zr |
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| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 介电层 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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