[发明专利]一种金属氧化物介电层及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将含锆、铝、镁、铪和钇的无机金属盐溶于有机溶剂中得到前驱体溶液；

（2）将前驱体溶液旋涂于衬底上，进行预退火，重复上述旋涂-预退火操作1～5次，然后进行热退火处理，得到高熵氧化物介电层薄膜；

步骤（1）所述锆、铝、镁、铪和钇的摩尔比为2～3：1：1：1：1。

2.根据权利要求1所述一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述前驱体溶液的浓度为0.5～1.5 mol/L。

3.根据权利要求1所述一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述预退火温度为130～150℃，时间为10分钟。

4.根据权利要求1所述一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述热退火温度为300～500 ℃，时间为1.5小时。

5.根据权利要求1所述一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述旋涂的条件为：旋涂转速为3000～6000rpm，每次旋涂时间为20～40s，旋涂次数为3～5次。

6.根据权利要求1所述一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层的制备方法，其特征在于，步骤（1）中无机金属盐为硝酸铝、硝酸锆、乙酸镁、硝酸钇和四氯化铪。

7.根据权利要求1所述一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述有机溶剂为乙二醇甲醚；所述衬底为玻璃、石英、单晶硅、蓝宝石和塑料中的一种。

8.权利要求1所述方法制得的一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层。

9.权利要求8所述一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层在超级电容器、信息储存器件、仿生学神经形态器件和显示器件薄膜晶体管中的应用。