[发明专利]一种Flash掉电数据存储方法及系统在审
| 申请号： | 202111558513.0 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114428588A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 冯小雅;肖多岭;曾海槟 | 申请（专利权）人： | 深圳市拔超科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F11/10;G06F11/14 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 刘爱珍 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安区福海街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种flash掉电数据存储方法，方法包括：在MCU芯片片内flash设置一掉电存储区；将掉电存储区划分为多份相等地址空间大小的掉电存储区块；循环将数据写入到掉电存储区块并更新前一个掉电存储区块的标志；其中，掉电存储区地址空间大小至少为16K；还包括对未写入的掉电存储区块标记的步骤：在掉电存储区块写入数据时将第一地址空间写入第二标志，在写入完成时将第二标志更新为第一标志，并将上一掉电存储区块的第一地址空间写入第三标志；还公开了一种flash掉电数据存储装置。通过在MCU的芯片内部flash设置掉电存储区，节约了硬件成本，提高了读写效率，保证了掉电数据的完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 flash 掉电 数据 存储 方法 系统 | ||
【主权项】：
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