[发明专利]一种Flash掉电数据存储方法及系统

说明书

本发明公开了一种flash掉电数据存储方法，方法包括：在MCU芯片片内flash设置一掉电存储区；将掉电存储区划分为多份相等地址空间大小的掉电存储区块；循环将数据写入到掉电存储区块并更新前一个掉电存储区块的标志；其中，掉电存储区地址空间大小至少为16K；还包括对未写入的掉电存储区块标记的步骤：在掉电存储区块写入数据时将第一地址空间写入第二标志，在写入完成时将第二标志更新为第一标志，并将上一掉电存储区块的第一地址空间写入第三标志；还公开了一种flash掉电数据存储装置。通过在MCU的芯片内部flash设置掉电存储区，节约了硬件成本，提高了读写效率，保证了掉电数据的完整性。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，特别涉及一种Flash掉电数据存储方法及系统。

背景技术

FLASH是一种固态、电可擦除可写入、掉电不丢失信息的计算机存储介质。根据实现结构的不同，FLASH分为NOR FLASH和NAND FLASH两种，其中，NOR FLASH是指以“或非门”为存储单元结构的FLASH。NOR FLASH的特点包括：可随机以字节为单位进行读取；只能以块(或扇区)为单位进行擦除，内存块只有被擦除后才能写入任意的新数据；可以对同一字节进行多次编程，即，将取值为“1”的位元改写为“0”。

NAND FLASH由多个块组成，而每个块均由相同数目的若干页组成，每页由数据区和冗余区组成，冗余区一般用于存放校验与纠错码。

基于EEPROM的掉电数据存储方案被用于以往的产品开发中，但随着产品功能的增加，掉电数据存储要求的信息量更大，基于EEPROM的掉电数据存储方案在数据存储量和响应速度上远远不能满足项目需求。

原因在于，受到EEPROM大小的限制，无法存储更多的掉电数据，特别是需要存储文件的项目，而且由于片外的EEPROM被主控读写的操作接口是IIC，最大速率是400K。再者，片外的EEPROM每一页256个字节，理论上如果要写512个字节，就得跨2页，也就是至少中间需要一次停止，从停止到下一次开始需要最大间隔5ms。但是实际项目中发现，IIC速率不能使用太高，每写8或16个字节必须有一定的延时，否则很容易造成逻辑上的混乱，造成写错误等问题。

基于以上分析，现有EEPROM的掉电存储数据量不能满足实际项目需要，掉电存储效率低。

发明内容

现有技术中，EEPROM的掉电存储数据量不能满足实际项目需要，掉电存储效率低。

针对上述问题，提出一种Flash掉电数据存储方法及系统，通过在MCU的芯片内部flash设置掉电存储区，不需要额外增加外挂的EEPROM芯片，节约了硬件成本；通过将掉电存储区划分为多个地址空间相等的掉电存储区块，可以存储更多的掉电数据，通过循环写入不同的掉电存储区块，减少了flash的擦写次数，提高了读写效率；通过对当前掉电存储区块的第一地址空间的标志在不同的进程写入不同的标志，在突然掉电时可以利用前一掉电存储区块的数据进行现场恢复，不会把所有的数据都丢失掉，最多只会丢掉某一个当时写入的数据，保证了掉电数据的完整性。

一种flash掉电数据存储方法，包括：

步骤100、在MCU芯片片内flash设置一掉电存储区；

步骤200、将所述掉电存储区划分为多份相等地址空间大小的掉电存储区块；

步骤300、循环将数据写入到所述掉电存储区块并更新前一个掉电存储区块的标志；

其中，所述掉电存储区地址空间大小至少为16K；

所述步骤300包括对未写入的掉电存储区块标记的步骤301：

在掉电存储区块写入数据时将第一地址空间写入第二标志，在写入完成时将所述第二标志更新为第一标志，并将上一掉电存储区块的第一地址空间写入第三标志。