[发明专利]一种Flash掉电数据存储方法及系统

权利要求书

1.一种flash掉电数据存储方法，其特征在于，包括：

步骤100、在MCU芯片片内flash设置一掉电存储区；

步骤200、将所述掉电存储区划分为多份相等地址空间大小的掉电存储区块；

步骤300、循环将数据写入到所述掉电存储区块并更新前一个掉电存储区块的标志；

其中，所述掉电存储区地址空间大小至少为16K；

所述步骤300包括对未写入的掉电存储区块标记的步骤301：

在掉电存储区块写入数据时将第一地址空间写入第二标志，在写入完成时将所述第二标志更新为第一标志，并将上一掉电存储区块的第一地址空间写入第三标志。

2.根据权利要求1所述的flash掉电数据存储方法，其特征在于，所述步骤200包括：

步骤210、将所述掉电存储区块地址空间划分为第一地址空间及第二地址空间；

步骤220、将所述掉电存储区域块地址空间的第一地址空间设置为第一标志存储空间；

步骤230、将所述掉电存储区块的第二地址空间设置为待写入的结构体数据地址空间。

3.根据权利要求2所述的flash掉电数据存储方法，其特征在于，所述步骤230包括：

步骤231、将所述第二地址空间划分为第一数据地址空间及第二数据地址空间；

步骤232、将所述第一数据地址空间设置为第一校验值地址空间；

步骤233、将所述第二数据地址空间设置为数据内容地址空间。

4.根据权利要求3所述的flash掉电数据存储方法，其特征在于，所述步骤300包括：

步骤310、轮询所有掉电存储区块，找出待写入掉电存储区块；

步骤320、依次将数据写入所述待写入掉电存储区块。

5.根据权利要求4所述的flash掉电数据存储方法，其特征在于，所述步骤320包括：

步骤321、将所述待写入掉电存储区块的第一地址空间写入第二标志；

步骤322、数据写入完成后，将所述第二标志更新为第一标志；

步骤323、将当前掉电存储区块的前一个掉电存储区块的第一地址空间写入第三标志。

6.根据权利要求5所述的flash掉电数据存储方法，其特征在于，所述步骤320还包括：

步骤324、遍历所有掉电存储区块；

步骤325、对包含第一标志的掉电存储区块的写入数据进行校验。

7.根据权利要求6所述的flash掉电数据存储方法，其特征在于，所述步骤325包括：

步骤3251、计算当前设备端写入数据实际操作的第二校验值；

步骤3252、读出包含所述第一标志的掉电存储区块数据的第一校验值；

步骤3253、将所述第二校验值与所述第一校验值进行比较，若所述第二校验值与所述第一校验值不相等，则更新该掉电存储区块的所有数据。

8.一种flash掉电数据存储装置，使用权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，包括：

分区模块；

遍历模块；

循环输入模块；

所述分区模块用于将片内掉电存储区划分为多个地址空间大小相等的掉电存储区块；

所述遍历模块用于轮询所有的掉电存储区块，找出待更新掉电存储区块及未写入掉电存储区块；

所述循环输入模块用于根据标志依次将数据写入所述掉电存储区块。