[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111554995.2 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114284351A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 胡诗犇;龚政;庞超;李育智;潘章旭;邹胜晗;王建太;郭婵;赵维;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/47;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 宋南 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括基板，位于基板一侧的栅极，覆盖于栅极表面且与基板连接的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层远离基板一侧的半导体层，分别位于半导体层两侧且与栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层，其中，第一绝缘层与第二绝缘层间隔设置，分别与栅极绝缘层、第一绝缘层连接的第一导电层，第一导电层与第一绝缘层组成源电极，分别与栅极绝缘层、第二绝缘层连接的第二导电层，第二导电层与第二绝缘层组成漏电极；其中，源电极与漏电极均与半导体层形成肖特基接触。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有降低了饱和电压和功耗的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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