[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

说明书

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括基板，位于基板一侧的栅极，覆盖于栅极表面且与基板连接的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层远离基板一侧的半导体层，分别位于半导体层两侧且与栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层，其中，第一绝缘层与第二绝缘层间隔设置，分别与栅极绝缘层、第一绝缘层连接的第一导电层，第一导电层与第一绝缘层组成源电极，分别与栅极绝缘层、第二绝缘层连接的第二导电层，第二导电层与第二绝缘层组成漏电极；其中，源电极与漏电极均与半导体层形成肖特基接触。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有降低了饱和电压和功耗的优点。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

近年来，氧化物半导体薄膜晶体管因为其高迁移率，均匀性好，低温制备的特点，得到了广泛的应用。

目前的薄膜晶体管中，源漏电极和半导体层的接触主要是欧姆接触，输出电流达到饱和时，饱和电压较高，功耗也相对较高。

综上，现有技术中存在当欧姆接触时的饱和电压较高，功耗也相对较高的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，以解决现有技术中存在的当欧姆接触时饱和电压较高，功耗也相对较高的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：

基板；

位于所述基板一侧的栅极；

覆盖于所述栅极表面且与基板连接的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层远离所述基板一侧的半导体层；

分别位于所述半导体层两侧且与所述栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层间隔设置；

分别与所述栅极绝缘层、所述第一绝缘层连接的第一导电层，所述第一导电层与所述第一绝缘层组成源电极；

分别与所述栅极绝缘层、所述第二绝缘层连接的第二导电层，所述第二导电层与所述第二绝缘层组成漏电极；其中，所述源电极与所述漏电极均与所述半导体层形成肖特基接触。

可选地，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度为1～10nm。

可选地，所述第一导电层与所述第二导电层的厚度为10～2000nm。

可选地，制作所述半导体层的材料包括铟。

可选地，制作所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材料包括氧化铝。

另一方面，本申请实施例还提供了一种半导体器件制作方法，用于制作上述的半导体器件，所述半导体器件制作方法包括：

提供一基板；

基于所述基板的一侧制作图形化栅极；

制作覆盖于所述栅极表面且与基板连接的栅极绝缘层；

基于所述栅极绝缘层制作半导体层；

基于半导体层的两侧制作与所述栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层间隔设置；

基于所述栅极绝缘层、所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层制作第一导电层与第二导电层，其中，所述第一导电层与所述第一绝缘层组成源电极，所述第二导电层与所述第二绝缘层组成漏电极，且所述源电极与所述漏电极均与所述半导体层形成肖特基接触。