[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

基板；

位于所述基板一侧的栅极；

覆盖于所述栅极表面且与基板连接的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层远离所述基板一侧的半导体层；

分别位于所述半导体层两侧且与所述栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层间隔设置；

分别与所述栅极绝缘层、所述第一绝缘层连接的第一导电层，所述第一导电层与所述第一绝缘层组成源电极；

分别与所述栅极绝缘层、所述第二绝缘层连接的第二导电层，所述第二导电层与所述第二绝缘层组成漏电极；其中，所述源电极与所述漏电极均与所述半导体层形成肖特基接触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度为1～10nm。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层的厚度为10～2000nm。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，制作所述半导体层的材料包括铟。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，制作所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材料包括氧化铝。

6.一种半导体器件制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1至5任一项所述的半导体器件，所述半导体器件制作方法包括：

提供一基板；

基于所述基板的一侧制作图形化栅极；

制作覆盖于所述栅极表面且与基板连接的栅极绝缘层；

基于所述栅极绝缘层制作半导体层；

基于半导体层的两侧制作与所述栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层间隔设置；

基于所述栅极绝缘层、所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层制作第一导电层与第二导电层，其中，所述第一导电层与所述第一绝缘层组成源电极，所述第二导电层与所述第二绝缘层组成漏电极，且所述源电极与所述漏电极均与所述半导体层形成肖特基接触。

7.如权利要求6所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述基于半导体层的两侧制作与所述栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层的步骤包括：

基于半导体层的两侧制作与所述栅极绝缘层连接且厚度为1～10nm的第一绝缘层与第二绝缘层。

8.如权利要求6所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述基于所述基板的一侧制作图形化栅极的步骤包括：

基于所述基板沉积栅极薄膜；

通过湿法刻蚀对所述栅极薄膜进行图形化，以形成栅极。

9.如权利要求6所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述基于所述栅极绝缘层制作半导体层的步骤包括：

在室温下基于所述绝缘层溅射氧化物薄膜；

通过湿法刻蚀使氧化物薄膜图形化；

对图形化后的氧化物薄膜进行退火，以形成半导体层。

10.如权利要求6所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述基于半导体层的两侧制作与所述栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层与基于半导体层的两侧制作与所述栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层的步骤包括：

基于所述半导体层的远离所述基板的一侧制作绝缘层；

基于所述绝缘层的远离所述基板的一侧制作导电层；

对所述导电层与所述绝缘层的中间区域进行湿法刻蚀，直至露出所述半导体层，以形成所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一导电层以及所述第二导电层。