[发明专利]检测源漏间漏电的电压衬度方法有效
申请号: | 202111544318.2 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114252680B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 谢锦锦 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R15/12 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种检测源漏间漏电的电压衬度方法:第一步,将芯片样品研磨至第一层金属M1露出;第二步,对芯片样品怀疑区域进行初始的电压衬度像;对于NMOS和PMOS之间有互联情况的,则NMOS的源漏端的电压衬度像分两种情况:仅有与PMOS连接的一端的电压衬度像为亮,或者是NMOS的源端和漏端的衬度像均为亮;第三步,进一步研磨至接触孔层次,再次进行电压衬度;对于NMOS和PMOS之间没有互联情况时,上述步骤无法验证,则再进行第四步;第四步,寻找距离怀疑区域最近的电压衬度像为亮的接触孔层,将PMOS的的源、漏端以及NMOS的源端或者漏端中的任意一端进行人工的电性连接,再次进行电压衬度像进行判定。 | ||
搜索关键词: | 检测 源漏间 漏电 电压 方法 | ||
【主权项】:
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