[发明专利]检测源漏间漏电的电压衬度方法

权利要求书

1.一种检测源漏间漏电的电压衬度方法，其特征在于：包含如下的步骤：

第一步，对芯片样品进行研磨，研磨至第一层金属M1露出；

第二步，对芯片样品怀疑区域进行初始的电压衬度像，进行初步判断；对于NMOS和PMOS之间有互联情况的，则NMOS的源漏端的电压衬度像分两种情况：仅有与PMOS连接的一端的电压衬度像为亮，或者是NMOS的源端和漏端的衬度像均为亮；

第三步，进一步研磨至接触孔层次，再次进行电压衬度，此时若NMOS源端和漏端的电压衬度像均为暗，则证明NMOS的源端和漏端之间存在漏电；若NMOS仅有与PMOS相连的一端为亮，则证明原NMOS的源端和漏端之间不漏电；

对于NMOS和PMOS之间没有互联情况时，上述步骤无法验证，则再进行第四步；

第四步，寻找距离怀疑区域最近的电压衬度像为亮的接触孔层，将PMOS的的源、漏端以及NMOS的源端或者漏端中的任意一端进行人工的电性连接，再次进行电压衬度像进行判定。

2.如权利要求1所述的检测源漏间漏电的电压衬度方法，其特征在于：所述第二步中，初始电压衬度像采用低压电子束或者是高压离子束形成。

3.如权利要求1所述的检测源漏间漏电的电压衬度方法，其特征在于：所述第二步中，由于PMOS与NMOS之间有互联，则电压衬度时，NMOS与PMOS连接的一端的电压衬度像会被PMOS的电压衬度像带亮；当NMOS的源漏端之间存在漏电时，则NMOS的源漏端的电压衬度像均为亮；当NMOS的源漏端之间不存在漏电时，则只有与PMOS连接的一端的电压衬度像为亮。

4.如权利要求1所述的检测源漏间漏电的电压衬度方法，其特征在于：所述第四步中，通过生长铂金属条将怀疑区域与最近的发亮的金属进行电性连接，再次进行第二步中的判断。

5.如权利要求4所述的检测源漏间漏电的电压衬度方法，其特征在于：所述的生长铂金属条的方式包括电镀。

6.如权利要求1所述的检测源漏间漏电的电压衬度方法，其特征在于：所述第四步中，如果NMOS未与PMOS直接连接的剩余一端电压衬度像显示为亮，则证明NMOS的源漏端之间存在漏电，若NMOS的剩余一端的电压衬度显示为暗，则表明NMOS的源漏端之间不存在漏电。

7.如权利要求1所述的检测源漏间漏电的电压衬度方法，其特征在于：对于PMOS和NMOS之间没有互联的，能简化步骤，直接研磨到接触孔层次，然后进行人工互联，进行电压衬度。

8.如权利要求1所述的检测源漏间漏电的电压衬度方法，其特征在于：若NMOS管中源极或者漏极被任意一方的电压衬度像带亮，则可判断源漏之间漏电。