[发明专利]碳化硅功率半导体器件测试方法有效
| 申请号： | 202111537539.7 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114210605B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张文杰;李乐乐;宋瓘;刘启军;陈喜明;王亚飞;周才能;李诚瞻 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | B07C5/344 | 分类号： | B07C5/344 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅功率半导体器件测试方法，该方法包括获得栅极筛选参考电压；测试获得各待测碳化硅功率半导体器件的第一额定阈值电压；测试各待测碳化硅功率半导体器件的待测器件栅极电压；当待测器件栅极电压大于或等于栅极筛选参考电压，判定初步合格；测试获得初步合格的各待测碳化硅功率半导体器件的第二额定阈值电压；当第一额定阈值电压与第二额定阈值电压的差异幅度大于预设变化率阈值时，判定不合格，反之，判定待测碳化硅功率半导体器件的合格。分别通过栅极漏电测试、阈值电压测试，并进行栅极电压对比和阈值电压对比分别进行筛选，能够有效筛选出在栅极漏电流测试中受损的芯片，确保筛选效率，并且提高了筛选精度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 半导体器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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