[发明专利]碳化硅功率半导体器件测试方法

权利要求书

1.一种碳化硅功率半导体器件测试方法，其特征在于，包括：

提供待测碳化硅功率半导体器件；

获得栅极筛选参考电压；

测试各所述待测碳化硅功率半导体器件的额定阈值电压，获得各所述待测碳化硅功率半导体器件的第一额定阈值电压；

测试各所述待测碳化硅功率半导体器件达到预设栅漏电流时的待测器件栅极电压，将所述待测碳化硅功率半导体器件的待测器件栅极电压与所述栅极筛选参考电压对比；

当所述待测碳化硅功率半导体器件的待测器件栅极电压小于所述栅极筛选参考电压，则判定所述待测碳化硅功率半导体器件不合格，当所述待测碳化硅功率半导体器件的待测器件栅极电压大于或等于所述栅极筛选参考电压，则判定所述待测碳化硅功率半导体器件初步合格；

测试初步合格的各所述待测碳化硅功率半导体器件的额定阈值电压，获得各所述待测碳化硅功率半导体器件的第二额定阈值电压；

将初步合格的所述待测碳化硅功率半导体器件的第一额定阈值电压与第二额定阈值电压对比，当所述第一额定阈值电压与所述第二额定阈值电压的差异幅度大于预设变化率阈值时，判定所述待测碳化硅功率半导体器件的不合格，当所述第一额定阈值电压与所述第二额定阈值电压的的差异幅度小于所述预设变化率阈值时，判定所述待测碳化硅功率半导体器件的合格；

所述获得栅极筛选参考电压的步骤包括：

对多个样本碳化硅功率半导体器件进行栅极漏电测试，基于对各所述样本碳化硅功率半导体器件的栅极漏电测试结果，获得所述栅极筛选参考电压；

所述基于对各所述样本碳化硅功率半导体器件的栅极漏电测试结果，获得所述栅极筛选参考电压的步骤包括：

对多个所述样本碳化硅功率半导体器件进行栅极漏电测试，在测试过程中逐渐增加栅级电压直至达到预设栅漏电流，记录各所述样本碳化硅功率半导体器件的预设栅漏电流对应的栅级电压为样本栅极电压；

计算各所述样本碳化硅功率半导体器件的样本栅极电压的平均值，得到栅极均值电压；

基于所述栅极均值电压，确定所述栅极筛选参考电压；

所述基于所述栅极均值电压，确定所述栅极筛选参考电压的步骤包括：

基于预设百分比计算所述栅极均值电压，确定所述栅极筛选参考电压，所述预设百分比为75%至85%。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对多个样本碳化硅功率半导体器件进行栅极漏电测试，基于对各所述样本碳化硅功率半导体器件的栅极漏电测试结果，获得所述栅极筛选参考电压的步骤包括：

对多个所述样本碳化硅功率半导体器件进行栅极漏电测试，在测试过程中逐渐增加栅级电压直至达到预设栅漏电流，根据各所述样本碳化硅功率半导体器件的预设栅漏电流对应的栅级电压确定所述栅极筛选参考电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算各所述样本碳化硅功率半导体器件的样本栅极电压的平均值，得到栅极均值电压的步骤包括：

从各所述样本碳化硅功率半导体器件的样本栅极电压中剔除最大的样本栅极电压和最小的样本栅极电压；

计算剔除后的各所述样本碳化硅功率半导体器件的样本栅极电压的平均值，得到栅极均值电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试各所述待测碳化硅功率半导体器件的额定阈值电压的步骤为：

将所述待测碳化硅功率半导体器件的的栅极与漏极短接，测试各所述待测碳化硅功率半导体器件的额定阈值电压。

5.根据权利要求1-4任一项中所述的方法，其特征在于，所述预设变化率阈值为4%至6%。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预设变化率阈值为5%。