[发明专利]一种带隙基准、芯片、电子器件及电子设备在审

专利信息
申请号: 202111535892.1 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN114265462A 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 聂海英;刘勇江;顾艺 申请(专利权)人: 成都海光微电子技术有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 周春霞
地址: 610000 四川省成都市高新区中国(四川)自由贸易试*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 本申请提供一种带隙基准、芯片、电子器件及电子设备,包括:基准核心电路,所述基准核心电路包括PTAT电流产生模块;所述PTAT电流产生模块用于产生PTAT电流;启动电路,与所述基准核心电路连接,用于启动所述基准核心电路;电流检测模组,分别与所述启动电路和所述PTAT电流产生模块连接,用于在检测到所述PTAT电流产生模块产生PTAT电流之后,控制所述启动电路关断。上述方案可以有效避免启动电路在脱离简并区之前被提前关断,并可降低启动电路不能正常关断的风险。
搜索关键词: 一种 基准 芯片 电子器件 电子设备
【主权项】:
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