[发明专利]一种带隙基准、芯片、电子器件及电子设备

权利要求书

1.一种带隙基准，其特征在于，包括：

基准核心电路，所述基准核心电路包括PTAT电流产生模块；所述PTAT电流产生模块用于产生PTAT电流；

启动电路，与所述基准核心电路连接，用于启动所述基准核心电路；

电流检测模组，分别与所述启动电路和所述PTAT电流产生模块连接，用于在检测到所述PTAT电流产生模块产生PTAT电流之后，控制所述启动电路关断。

2.如权利要求1所述的带隙基准，其特征在于，所述PTAT电流产生模块包括第一PTAT电流产生子模块和第二PTAT电流产生子模块；所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块配合，以在所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块中均产生所述PTAT电流；

所述基准核心电路还包括第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极用于接收电源电压；所述第一PMOS管的漏极与所述第一PTAT电流产生子模块连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二PTAT电流产生子模块连接；

所述启动电路包括第一受控开关，所述第一受控开关的第一连接端与所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极连接，所述第一受控开关的第二连接端接地，所述第一受控开关的控制端与所述电流检测模组连接；

所述电流检测模组用于在检测到所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块产生所述PTAT电流之后，控制所述第一受控开关的第一连接端和第二连接端关断。

3.如权利要求1所述的带隙基准，其特征在于，所述PTAT电流产生模块包括第一PTAT电流产生子模块和第二PTAT电流产生子模块；所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块配合，以在所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块中均产生所述PTAT电流；

所述基准核心电路还包括：第一PMOS管、第二PMOS管和运算放大器；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极用于接收电源电压；所述第一PMOS管的漏极与所述第一PTAT电流产生子模块连接，并与所述运算放大器的负端连接；所述第二PMOS管的漏极与所述第二PTAT电流产生子模块连接，并与所述运算放大器的正端连接；

所述启动电路包括第一受控开关，所述第一受控开关的第一连接端用于接收电源电压，所述第一受控开关的第二连接端与所述运算放大器的负端连接；

所述电流检测模组用于在检测到所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块产生所述PTAT电流之后，控制所述第一受控开关的第一连接端和第二连接端关断。

4.如权利要求2或3所述的带隙基准，其特征在于，所述第一受控开关为：所述第一受控开关的控制端接收到高电平信号时导通、接收到低电平信号时关断的开关器件；

所述电流检测模组包括第二受控开关；所述第二受控开关用于在所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块产生所述PTAT电流之后导通；

所述电流检测模组包括第一电阻，所述第一电阻的第一端用于接收所述电源电压，所述第一电阻的第二端通过所述第二受控开关接地，并与所述第一受控开关的控制端连接。

5.如权利要求2或3所述的带隙基准，其特征在于，所述第一受控开关为：所述第一受控开关的控制端接收到低电平信号时导通、接收到高电平信号时关断的开关器件；

所述电流检测模组包括：第二电阻和第二受控开关；所述第二受控开关在所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块产生PTAT电流之后断开；

所述第二受控开关的第一连接端通过所述第二电阻接收所述电源电压，并与所述第一受控开关的控制端连接，所述第二受控开关的第二连接端接地。