[发明专利]半导体装置以及其制作方法在审
| 申请号： | 202111515735.4 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116264253A | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张哲华;李信宏;杨宗祐;曹瑞哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括半导体基底、沟槽以与栅极结构。沟槽设置在半导体基底中。栅极结构设置在半导体基底上。栅极结构包括栅极电极、第一栅极氧化物层与第二栅极氧化物层。栅极电极的第一部分设置在沟槽中，且栅极电极的第二部分设置在沟槽之外。第一栅极氧化物层设置在栅极电极与半导体基底之间，且第一栅极氧化物层的至少一部分设置在沟槽中。第二栅极氧化物层在垂直方向上设置在栅极电极的第二部分与半导体基底之间，且第二栅极氧化物层的厚度大于第一栅极氧化物层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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