[发明专利]半导体装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基底；

沟槽，设置在该半导体基底中；以及

栅极结构，设置在该半导体基底上，其中该栅极结构包括：

栅极电极，其中该栅极电极的第一部分设置在该沟槽中，且该栅极电极的第二部分设置在该沟槽之外；

第一栅极氧化物层，设置在该栅极电极与该半导体基底之间，其中该第一栅极氧化物层的至少一部分设置在该沟槽中；以及

第二栅极氧化物层，在垂直方向上设置在该栅极电极的该第二部分与该半导体基底之间，其中该第二栅极氧化物层的厚度大于该第一栅极氧化物层的厚度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

两个漂移区，设置在该半导体基底中且分别位于该沟槽在水平方向上的两相对侧。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该栅极电极的该第一部分在该水平方向上设置在该两个漂移区之间。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一栅极氧化物层的一部分在该水平方向上设置在该栅极电极的该第一部分与各该漂移区之间。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第二栅极氧化物层在该垂直方向上设置在该栅极电极的该第二部分与各该漂移区之间。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其中各该漂移区的一部分在该垂直方向上设置在该沟槽之下。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极氧化物层的第一部分设置在该沟槽中，且该第一栅极氧化物层的第二部分在该垂直方向上设置在该栅极电极的该第二部分与该第二栅极氧化物层之间。

8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

间隙壁结构，设置在该栅极结构的侧壁上，其中该间隙壁结构设置在该栅极电极的该第二部分的侧壁上以及该第二栅极氧化物层的侧壁上。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极氧化物层的材料组成与该第二栅极氧化物层的材料组成不相同。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该垂直方向为该半导体基底的厚度方向。

11.一种半导体装置的制作方法，包括：

在半导体基底中形成沟槽；以及

在该半导体基底上形成栅极结构，其中该栅极结构包括：

栅极电极，其中该栅极电极的第一部分设置在该沟槽中，且该栅极电极的第二部分设置在该沟槽之外；

第一栅极氧化物层，设置在该栅极电极与该半导体基底之间，其中该第一栅极氧化物层的至少一部分设置在该沟槽中；以及

第二栅极氧化物层，在垂直方向上设置在该栅极电极的该第二部分与该半导体基底之间，其中该第二栅极氧化物层的厚度大于该第一栅极氧化物层的厚度。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中形成该栅极结构的方法包括：

在该半导体基底上形成垫氧化物层；以及

对该垫氧化物层以及该半导体基底进行蚀刻制作工艺，用以形成该沟槽，其中该垫氧化物层被该蚀刻制作工艺蚀刻而成为图案化氧化物层。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制作方法，其中形成该栅极结构的该方法还包括：

在该蚀刻制作工艺之后，在该半导体基底上形成栅极材料层，其中该栅极材料层部分形成在该沟槽中且部分形成在该沟槽之外，且该图案化氧化物层在该垂直方向上位于该栅极材料层与该半导体基底之间；以及

对该栅极材料层以及该图案化氧化物层进行图案化制作工艺，其中该栅极材料层被该图案化制作工艺图案化而成为该栅极电极，且该图案化氧化物层被该图案化制作工艺图案化而成为该第二栅极氧化物层。