[发明专利]一种高键合强度的覆铜陶瓷基板及其制备工艺有效
| 申请号： | 202111513991.X | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114423173B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 俞晓东;杨恺;刘晓辉 | 申请（专利权）人： | 南通威斯派尔半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/28 | 分类号： | H05K3/28;H05K3/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 李猛 |
| 地址： | 226300 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高键合强度的覆铜陶瓷基板及其制备工艺，包括以下制备工艺：(1)磨板：依次利用陶瓷刷、织布刷对覆铜陶瓷基板进行打磨；(2)微蚀：取微蚀液打磨后的覆铜陶瓷基板进行处理。本发明通过修改磨刷轮目数，减少刷痕深度、降低机械影响来缩短微蚀时间，协同微蚀液的调整来避免硫酸铜产生，提高微蚀液的活性，在铜基表面形成一层深度适中、均匀致密的粗糙面，微蚀液的调整能够促进晶粒的较快出现，使其更为凸显，晶粒更粗、更均匀；而铜基表面更为均匀的粗晶能够增加键合引线的拉力，从而提高覆铜陶瓷基板与阻焊层间的高键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高键合 强度 陶瓷 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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