[发明专利]一种降低发射器增益温漂的装置及方法在审

专利信息
申请号: 202111510154.1 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114362684A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 范超;王丽;李勃彦;邵志刚 申请(专利权)人: 成都振芯科技股份有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F3/24;H04B1/04
代理公司: 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 代理人: 贺理兴
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种降低发射器增益温漂的装置及方法,包括输入端口、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、电源端口、恒流源、负载和输出端口;运算放大器的反相输入端与输入端口连接;第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极均与运算放大器的输出端连接;第一NMOS管的漏极和恒流源的正极均与运算放大器的同相输入端连接;第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均接地;恒流源的负极和负载的第一端均与电源端口连接;负载的第二端和第二NMOS管的漏极均与输出端口连接;本发明在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性。
搜索关键词: 一种 降低 发射器 增益 装置 方法
【主权项】:
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