[发明专利]一种降低发射器增益温漂的装置及方法

权利要求书

1.一种降低发射器增益温漂的装置，其特征在于，包括输入端口、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、电源端口、恒流源、负载和输出端口；所述运算放大器的反相输入端与所述输入端口连接；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均与所述运算放大器的输出端连接；所述第一NMOS管的漏极和所述恒流源的正极均与所述运算放大器的同相输入端连接；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地；所述恒流源的负极和所述负载的第一端均与所述电源端口连接；所述负载的第二端和所述第二NMOS管的漏极均与所述输出端口连接。

2.根据权利要求1所述的降低发射器增益温漂的装置，其特征在于，所述第二NMOS管的跨导为所述第一NMOS管的跨导的k倍，其中k为整数。

3.根据权利要求1所述的降低发射器增益温漂的装置，其特征在于，所述第二NMOS管为可拆卸的外接NMOS管。

4.根据权利要求1所述的降低发射器增益温漂的装置，其特征在于，所述第一NMOS管为可拆卸的外接NMOS管。

5.一种降低发射器增益温漂的方法，应用于权利要求1-4任一项所述的降低发射器增益温漂的装置，其特征在于，包括：

获取输入端口的输入信号并根据所述输入信号以及恒流源的正极与第一NMOS管的漏极之间线路上的第一反馈信号进行放大处理，得到第一控制信号；

将第一控制信号同时作用于第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极；

将第二NMOS管的跨导设为第一NMOS管的跨导的k倍，从而得到输出端口的输出信号；其中k为整数。