[发明专利]一种降低发射器增益温漂的装置及方法

说明书

本发明提供一种降低发射器增益温漂的装置及方法，包括输入端口、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、电源端口、恒流源、负载和输出端口；运算放大器的反相输入端与输入端口连接；第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极均与运算放大器的输出端连接；第一NMOS管的漏极和恒流源的正极均与运算放大器的同相输入端连接；第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均接地；恒流源的负极和负载的第一端均与电源端口连接；负载的第二端和第二NMOS管的漏极均与输出端口连接；本发明在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性。

技术领域

本发明涉及无线通信技术领域，具体而言，涉及一种降低发射器增益温漂的装置及方法。

背景技术

在无线通信中，发射功率直接影响通信的距离。在温度变化时，若发射输出功率变化较大，则最大的发射功率肯定会超过系统需要的功率，会带来电磁兼容问题和额外的功耗问题。所以芯片应尽可能降低发射通道输出功率的温漂变化。为了降低发射通道输出功率的温漂变化，有的方法通过放大管采用PTAT电流或负温度系数的反馈电阻来实现，提高放大管在高温时的跨导，从而降低输出功率随温度升高而减小的效应；有的方法则是将增益调整用不同温度系数的电阻的比例来实现。但是采用PTAT电流时，要完全补偿增益变化，需要PTAT的斜率很高，这样在低温时，较低的电流将导致电路的线性度变差。采用带源级负反馈的电阻时，会降低放大器的增益，需要增加放大管的电流，从而提高功耗，而且由于需要通过电阻的温度系数来补偿增益温漂，实际会受到工艺限制，要同时满足增益和较低的温漂可能会导致非常大的功耗。采用不同温度系数的比例时，在选定的工艺制程中不一定能找到具有合适温度系数的电阻，这种方法不一定适应所有的工艺制程。因此，需要提供一种方案以便于在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种降低发射器增益温漂的装置及方法，用以实现在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性的技术效果。

第一方面，本发明提供了一种降低发射器增益温漂的装置，包括包括输入端口、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、电源端口、恒流源、负载和输出端口；所述运算放大器的反相输入端与所述输入端口连接；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均与所述运算放大器的输出端连接；所述第一NMOS管的漏极和所述恒流源的正极均与所述运算放大器的同相输入端连接；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地；所述恒流源的负极和所述负载的第一端均与所述电源端口连接；所述负载的第二端和所述第二NMOS管的漏极均与所述输出端口连接。

进一步地，所述第二NMOS管的跨导为所述第一NMOS管的跨导的k倍，其中k为整数。

进一步地，所述第二NMOS管为可拆卸的外接NMOS管。

进一步地，所述第一NMOS管为可拆卸的外接NMOS管。

第二方面，本发明提供了一种降低发射器增益温漂的方法，应用于上述的降低发射器增益温漂的装置，包括：

获取输入端口的输入信号并根据所述输入信号以及恒流源的正极与第一NMOS管的漏极之间线路上的第一反馈信号进行放大处理，得到第一控制信号；

将第一控制信号同时作用于第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极；

将第二NMOS管的跨导设为第一NMOS管的跨导的k倍，从而得到输出端口的输出信号；其中k为整数。

本发明能够实现的有益效果是：本发明提供的降低发射器增益温漂的装置通过运算放大器、第一NMOS管和恒流源组成了两级放大器，且构成了负反馈电路，以便于运算放大器同相输入端的电压和反相输入端的电压可以保持一致，使得输出端口输出的信号增益只与恒流源、负载、第一NMOS管的跨导与第二NMOS管的跨导之间的比例系数和工艺参数等相关，不易受到温度的影响，能够应用在各种不同工艺中，在降低发射器增益温漂的同时提高装置的适应性。

附图说明