[发明专利]一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法

摘要

本发明公开了一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，首先，将铁粉、碳粉、硒粉和碲粉均匀混合，命名为FCST，按照FCST:KCl:AlCl3=0.5~2:1.5~4:3.5~6的比例称取KCl和AlCl3粉末，与FCST混合；将所得混合粉末放入石英玻璃管末端并将玻璃管进行真空封管；将玻璃管放入可以控制温度的三温区管式炉中，将有反应物质的末端和玻璃管端口放置在不同的两个温区中，将管式炉升温至410~510℃，保温20~50小时，将不含有反应物质的玻璃管端口处的温区降温至330~430℃，含有反应物质的玻璃管末端所在的温度保持410~510℃不变，给玻璃管建立起一个温度梯度，在该温度梯度下烧结不少于21，然后取出淬火。本发明成功地将C掺杂进FeSeTe单晶的晶格中，在不影响晶体质量的前提下，提高了材料的超导转变温度。