[发明专利]一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法

权利要求书

1.一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：将铁粉、碳粉、硒粉和碲粉按照摩尔比为1-x : x : 0.3~0.5 : 0.5~0.7称量，其中x=0~0.2且x不为0，将称量好的粉末放入玛瑙研钵中，研磨均匀，所得混合物命名为FCST；

步骤2：按照FCST : KCl : AlCl₃=0.5~2 : 1.5~4 : 3.5~6的摩尔比例称取适量的KCl和AlCl₃粉末，与FCST粉末混合，得到混合粉末；

步骤3：将上述混合粉末放入石英玻璃管末端，使用真空封管机将玻璃管进行真空封管，真空度为1.8×10^-3 ~2.5×10^-3Pa；

步骤4：将玻璃管放入可以控制温度的三温区管式炉中，将有混合粉末的末端和玻璃管端口放置在不同的两个温区中，然后将管式炉升温至410~510℃，保温20~50小时，将不含有混合粉末的玻璃管端口处的温区降温至330~430℃，含有混合粉末的玻璃管末端所在的温区温度保持410~510℃不变，给玻璃管建立起一个温度梯度，在该温度梯度下烧结不少于21天；

步骤5：取出淬火。

2.根据权利要求1所述的一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，其特征在于，所述铁粉的纯度不低于99.8%，碳粉的纯度不低于99.5%，硒粉的纯度不低于99.99%，碲粉的纯度不低于99.99%。

3.根据权利要求1所述的一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，其特征在于，步骤1在充满氩气保护的手套箱中进行研磨，研磨时间为0.5~1.5小时。

4. 根据权利要求1所述的一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，其特征在于，步骤3中，真空度为1.8×10^-3 ~2.5×10^-3Pa。

5.根据权利要求1所述的一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，其特征在于，步骤4中，管式炉的升温速率为0.5~3℃/min。

6.根据权利要求1所述的一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，其特征在于，步骤4中，不含有混合粉末的玻璃管端口处的温区与含有混合粉末的玻璃管末端所在温区的温差大于60℃。

7.根据权利要求1所述的一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，其特征在于，步骤4中，烧结时间为21~56天。