[发明专利]一种蚀刻液在审
| 申请号： | 202111505637.2 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114182259A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李恩庆;康明伦 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C23F1/44 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 汪阮磊 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种蚀刻液，包括以下组分：12～22％质量百分比的过氧化氢；0.5～4％质量百分比的鳌合剂；0.1～2.5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～5％质量百分比的蚀刻剂；0.01～2％质量百分比的除残剂；以及溶剂，所述蚀刻剂在不需要增加氟含量的情况下即可大面积地蚀刻多层结构的铜/钼金属膜层，不仅能够抑制铜金属在绝缘膜扩散的现象，还能有效地去除钼金属残留物，所述蚀刻液的性质稳定，蚀刻速率适中且蚀刻轮廓良好，能够有效提升产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 | ||
【主权项】：
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