[发明专利]一种蚀刻液

说明书

一种蚀刻液，包括以下组分：12～22％质量百分比的过氧化氢；0.5～4％质量百分比的鳌合剂；0.1～2.5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～5％质量百分比的蚀刻剂；0.01～2％质量百分比的除残剂；以及溶剂，所述蚀刻剂在不需要增加氟含量的情况下即可大面积地蚀刻多层结构的铜/钼金属膜层，不仅能够抑制铜金属在绝缘膜扩散的现象，还能有效地去除钼金属残留物，所述蚀刻液的性质稳定，蚀刻速率适中且蚀刻轮廓良好，能够有效提升产品的良率。

【技术领域】

本申请涉及蚀刻领域，特别涉及一种蚀刻液。

【背景技术】

薄膜晶体管液晶显示装置(thin-film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)的卫星电路是在基板上形成含有铝、铝合金、铜或铜合金等导电性金属膜或硅氧化膜及硅氮化膜等绝缘膜后，在上述膜层涂布光刻胶，通过有纹路的光罩照射光线形成所需纹理的光刻胶，接着通过干蚀刻或湿蚀刻转移光刻胶下层的金属膜或者绝缘膜的纹理，剥离驱除不需要的光刻胶来完成一系列的光刻制程。大型显示光栅及数据金属走线使用环保的铜金属，与传统的铝及铬的走线相比阻力较小。

但铜与玻璃膜及硅之间的黏着力较差，为了防止硅层与铜的扩散，人们使用各种屏障金属设置于两者之间，其中钼或钼合金正在受到大家的青睐，钼或钼合金作为屏障金属充当缓冲金属膜的作用，形成多层金属膜结构。

然而，在大面积使用传统蚀刻液时，喷嘴和喷嘴间的重叠部分中具有产生屏障金属残留的问题。尤其是钼作为屏障金属比起玻璃膜层、硅膜层的残留物较多。在酸领域，因为Zeta电荷，钼会吸附在表面引起残留物不良问题。

【发明内容】

为了解决现有技术中在大面积蚀刻多层结构的铜/钼金属膜层时所产生的钼金属残留物的问题，本申请提供一种蚀刻液，包括以下组分：12～22％质量百分比的过氧化氢；0.5～4％质量百分比的鳌合剂；0.1～2.5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～5％质量百分比的蚀刻剂；0.01～2％质量百分比的除残剂；以及溶剂。

更进一步地，所述鳌合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚(甲基磷酸)、(1-羟基乙烷-1,1-二烯化合物)双(磷酸)、乙基二胺四(甲基磷酸)、二亚乙基三胺五(甲基磷酸)、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸或甘氨酸。

更进一步地，所述鳌合剂的质量百分比为1.5～3％。

更进一步地，所述蚀刻抑制剂包括唑类化合物。

更进一步地，所述蚀刻抑制剂包括3-氨基-1,2,3-三唑、4-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-甲基四唑、5-氨基四唑、咪唑或吡唑。

更进一步地，所述蚀刻抑制剂的质量百分比为0.3～1.0％。

更进一步地，所述蚀刻剂包括磷酸、亚磷酸、次磷酸或焦磷酸。

更进一步地，所述除残剂的质量百分比为0.1～1.0％。

更进一步地，所述除残剂包括具有Al²⁺、Mg²⁺、Na⁺、K⁺、Li⁺的硫酸盐、硝酸盐或柠檬酸盐。

更进一步地，所述除残剂包括LiSO₄、LiNO₃、MgSO₄或MgNO₃。