[发明专利]一种蚀刻液在审

专利信息
申请号: 202111505637.2 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN114182259A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 李恩庆;康明伦 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: C23F1/18 分类号: C23F1/18;C23F1/26;C23F1/44
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 汪阮磊
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 蚀刻
【权利要求书】:

1.一种蚀刻液,其特征在于,包括以下组分:

12~22%质量百分比的过氧化氢;

0.5~4%质量百分比的鳌合剂;

0.1~2.5%质量百分比的蚀刻抑制剂;

0.1~5%质量百分比的蚀刻剂;

0.01~2%质量百分比的除残剂;以及

溶剂。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述鳌合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚(甲基磷酸)、(1-羟基乙烷-1,1-二烯化合物)双(磷酸)、乙基二胺四(甲基磷酸)、二亚乙基三胺五(甲基磷酸)、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸或甘氨酸。

3.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述鳌合剂的质量百分比为1.5~3%。

4.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻抑制剂包括唑类化合物。

5.根据权利要求4所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻抑制剂包括3-氨基-1,2,3-三唑、4-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-甲基四唑、5-氨基四唑、咪唑或吡唑。

6.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻抑制剂的质量百分比为0.3~1.0%。

7.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻剂包括磷酸、亚磷酸、次磷酸或焦磷酸。

8.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述除残剂的质量百分比为0.1~1.0%。

9.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述除残剂包括具有Al2+、Mg2+、Na+、K+、Li+的硫酸盐、硝酸盐或柠檬酸盐。

10.根据权利要求9所述的蚀刻液,其特征在于,所述除残剂包括LiSO4、LiNO3、MgSO4或MgNO3

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