[发明专利]一种蚀刻液在审
| 申请号: | 202111505637.2 | 申请日: | 2021-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN114182259A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
| 发明(设计)人: | 李恩庆;康明伦 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;C23F1/26;C23F1/44 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 蚀刻 | ||
1.一种蚀刻液,其特征在于,包括以下组分:
12~22%质量百分比的过氧化氢;
0.5~4%质量百分比的鳌合剂;
0.1~2.5%质量百分比的蚀刻抑制剂;
0.1~5%质量百分比的蚀刻剂;
0.01~2%质量百分比的除残剂;以及
溶剂。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述鳌合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚(甲基磷酸)、(1-羟基乙烷-1,1-二烯化合物)双(磷酸)、乙基二胺四(甲基磷酸)、二亚乙基三胺五(甲基磷酸)、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸或甘氨酸。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述鳌合剂的质量百分比为1.5~3%。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻抑制剂包括唑类化合物。
5.根据权利要求4所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻抑制剂包括3-氨基-1,2,3-三唑、4-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-甲基四唑、5-氨基四唑、咪唑或吡唑。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻抑制剂的质量百分比为0.3~1.0%。
7.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述蚀刻剂包括磷酸、亚磷酸、次磷酸或焦磷酸。
8.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述除残剂的质量百分比为0.1~1.0%。
9.根据权利要求1所述的蚀刻液,其特征在于,所述除残剂包括具有Al2+、Mg2+、Na+、K+、Li+的硫酸盐、硝酸盐或柠檬酸盐。
10.根据权利要求9所述的蚀刻液,其特征在于,所述除残剂包括LiSO4、LiNO3、MgSO4或MgNO3。
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