[发明专利]平面型SiC MOSFET器件在审
| 申请号： | 202111498285.2 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN116259644A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 上海鼎阳通半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面型SiC MOSFET器件，包括：在两个相邻的沟道区之间的漂移区表面形成有抗JFET区；沟道区的二个以上的第一离子注入区设置为：注入峰值位置越深，注入峰值越大；注入峰值位置越浅，注入峰值越小；抗JFET区的一个以上的第二离子注入区的注入峰值位置和注入剂量设置为：第二离子注入区的注入峰值大小和位置都位于沟道区中的最浅和最深的注入峰值的大小和位置之间。本发明能同时满足阈值电压和降低器件的短沟道效应的要求以及抗JFET区既能满足降低器件的比导通电阻的要求，又能防止增加抗JFET表面的电场强度从而增加器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 sic mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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