[发明专利]过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置在审
申请号: | 202111493546.1 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114171379A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 代翔宇 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/308 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置,所述过孔的制作方法包括:提供一衬底基板,衬底上包括第一金属层和绝缘层,绝缘层设置于第一金属上;在绝缘层上方提供刻蚀辅助层,刻蚀辅助层的刻蚀速率大于绝缘层的刻蚀速率;在刻蚀辅助层上提供掩膜版,采用曝光、显影工艺形成光刻图案;采用干刻工艺刻蚀该刻蚀辅助层和绝缘层,形成过孔,第一金属层显露于过孔,过孔用于绝缘层上的第二金属和第一金属的搭接。本申请通过在绝缘层的上方形成一层刻蚀辅助层,通过设置刻蚀辅助层的刻蚀速率小于绝缘层的刻蚀速率,防止对应过孔深处的绝缘层新的物质的生成,从而可以避免过孔形成陡峭的坡度角,通过对过孔角度的控制。 | ||
搜索关键词: | 制作方法 掩膜版 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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