[发明专利]过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置

说明书

本申请提供了一种过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置，所述过孔的制作方法包括：提供一衬底基板，衬底上包括第一金属层和绝缘层，绝缘层设置于第一金属上；在绝缘层上方提供刻蚀辅助层，刻蚀辅助层的刻蚀速率大于绝缘层的刻蚀速率；在刻蚀辅助层上提供掩膜版，采用曝光、显影工艺形成光刻图案；采用干刻工艺刻蚀该刻蚀辅助层和绝缘层，形成过孔，第一金属层显露于过孔，过孔用于绝缘层上的第二金属和第一金属的搭接。本申请通过在绝缘层的上方形成一层刻蚀辅助层，通过设置刻蚀辅助层的刻蚀速率小于绝缘层的刻蚀速率，防止对应过孔深处的绝缘层新的物质的生成，从而可以避免过孔形成陡峭的坡度角，通过对过孔角度的控制。

技术领域

本申请涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置。

背景技术

在阵列基板的制作过程中，不同金属膜层之间的搭接一般需要通过在金属膜层之间绝缘膜层中制作过孔实现，目前过孔的制作通常采用烧光阻法，对比不同的CD Loss，其浅孔的倾斜角(Taper)有明显差异，可以通过配方比例(recipe tuning)控制气体中氧气的比例，做到有效控制，但是对于深孔的部分，Taper变化没却不明显，从而形成一种较陡的Taper，导致过孔倾斜角度较难控制，从而最终可能导致显示面板局部色偏严重。

发明内容

本申请提供一种过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置，以解决过孔倾斜角度较难控制的问题。

一方面，本申请提供一种过孔的制作方法，所述方法包括：

提供一衬底基板，所述衬底上包括第一金属层和绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一金属上；

在所述绝缘层上方提供刻蚀辅助层，所述刻蚀辅助层的刻蚀速率大于所述绝缘层的刻蚀速率；

在所述刻蚀辅助层上提供掩膜版，采用曝光、显影工艺形成光刻图案；

采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，形成过孔，所述第一金属层显露于所述过孔，所述过孔用于所述绝缘层上的第二金属和所述第一金属的搭接。

在本申请一种可能的实现方式中，所述采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，形成过孔的步骤之后，还包括：

采用酸性刻蚀液刻蚀所述过孔的内侧壁，以使所述过孔的内侧壁由靠近所述衬底的一端朝向远离所述衬底的一端平滑过渡。

在本申请一种可能的实现方式中，所述刻蚀辅助层形成于所述绝缘层背向所述第一金属层的表面。

在本申请一种可能的实现方式中，所述刻蚀辅助层形成于所述掩膜版朝向所述绝缘层的表面。

在本申请一种可能的实现方式中，所述绝缘层至少包括第一子绝缘和第二子绝缘层；

所述提供一衬底基板的步骤，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成第一金属层；

在所述刻蚀辅助层朝向所述第一金属层的一面形成第一子绝缘层；

在所述第一子绝缘层背向所述刻蚀辅助层的一面形成第二子绝缘层，所述第二子绝缘层的刻蚀速率大于所述第一子绝缘层的刻蚀速率。

在本申请一种可能的实现方式中，所述刻蚀辅助层采用氮氧化硅材料制成，所述第一子绝缘层采用氮化硅材料制成，所述第二子绝缘层采用氧化硅材料制成。

在本申请一种可能的实现方式中，所述刻蚀辅助层的膜层厚度范围为30nm-50nm。

另一方面，本申请还提供一种显示装置，包括所述过孔的制作方法形成的阵列基板，所述阵列基板包括：

衬底；

第一金属层，设置于所述衬底上；