[发明专利]过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置

权利要求书

1.一种过孔的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板，所述衬底上包括第一金属层和绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一金属上；

在所述绝缘层上方提供刻蚀辅助层，所述刻蚀辅助层的刻蚀速率大于所述绝缘层的刻蚀速率；

在所述刻蚀辅助层上提供掩膜版，采用曝光、显影工艺形成光刻图案；

采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，形成过孔，所述第一金属层显露于所述过孔，所述过孔用于所述绝缘层上的第二金属和所述第一金属的搭接。

2.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述绝缘层至少包括第一子绝缘和第二子绝缘层；

所述提供一衬底基板的步骤，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成第一金属层；

在所述刻蚀辅助层朝向所述第一金属层的一面形成第一子绝缘层；

在所述第一子绝缘层背向所述刻蚀辅助层的一面形成第二子绝缘层，所述第二子绝缘层的刻蚀速率大于所述第一子绝缘层的刻蚀速率。

3.根据权利要求2所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述刻蚀辅助层采用氮氧化硅材料制成，所述第一子绝缘层采用氮化硅材料制成，所述第二子绝缘层采用氧化硅材料制成。

4.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，形成过孔的步骤之后，还包括：

采用湿刻工艺刻蚀所述过孔的内侧壁，以使所述过孔的内侧壁由靠近所述衬底的一端朝向远离所述衬底的一端平滑过渡。

5.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述刻蚀辅助层形成于所述绝缘层背向所述第一金属层的表面。

6.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述刻蚀辅助层形成于所述掩膜版朝向所述绝缘层的表面。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述刻蚀辅助层的膜层厚度范围为30nm-50nm。

8.一种掩膜版，其特征在于，用于如权利要求1所述的过孔的制作方法中，所述掩膜版用于待刻蚀膜层上方，所述待刻蚀膜层包括绝缘层，所述掩膜版包括：

光刻掩膜层，设有掩膜开口；

刻蚀辅助层，设置于所述光刻掩膜层朝向所述绝缘层的一面，所述刻蚀辅助层覆盖所述掩膜开口。

9.根据权利要求8所述的掩膜版，其特征在于，所述刻蚀辅助层的膜层厚度范围为30nm-50nm。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的过孔的制作方法形成阵列基板，所述阵列基板包括：

衬底；

第一金属层，设置于所述衬底上；

绝缘层，设置于所述第一金属层上；

刻蚀辅助层，设置于所述绝缘层上，所述刻蚀辅助层上设有过孔，所述过孔贯穿所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，所述第一金属层设置显露于所述过孔，所述刻蚀辅助层的刻蚀速率大于所述绝缘层的刻蚀速率；

第二金属层，设置于所述刻蚀辅助层上，所述第二金属层位于所述过孔与所述第一金属层连接。