[发明专利]进行电容器连接再分布的集成存储器以及形成集成存储器的方法在审
申请号: | 202111492144.X | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN115036314A | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | G·杨;V·奈尔;D·D·史莱伦;A·潘戴;李康乐;解志强;S·博尔萨里;M·K·阿赫塔尔;李时雨 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及一种进行电容器连接再分布的集成存储器,以及形成所述集成存储器的方法。一些实施例包含集成组件,其具有在多对电容器接触区之间的数字线接触区。所述电容器接触区布置有呈大体上矩形配置的六个邻近电容器接触区。导电插塞与所述电容器接触区耦合。导电再分布材料与所述导电插塞耦合。所述导电再分布材料的上表面布置成大体上密排六方配置。数字线在所述数字线接触区上方。绝缘区在所述数字线与所述导电插塞之间。所述绝缘区含有空隙和/或低k介电材料。电容器与所述导电再分布材料的所述上表面耦合。 | ||
搜索关键词: | 进行 电容器 连接 再分 集成 存储器 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的