[发明专利]进行电容器连接再分布的集成存储器以及形成集成存储器的方法

说明书

本申请涉及一种进行电容器连接再分布的集成存储器，以及形成所述集成存储器的方法。一些实施例包含集成组件，其具有在多对电容器接触区之间的数字线接触区。所述电容器接触区布置有呈大体上矩形配置的六个邻近电容器接触区。导电插塞与所述电容器接触区耦合。导电再分布材料与所述导电插塞耦合。所述导电再分布材料的上表面布置成大体上密排六方配置。数字线在所述数字线接触区上方。绝缘区在所述数字线与所述导电插塞之间。所述绝缘区含有空隙和/或低k介电材料。电容器与所述导电再分布材料的所述上表面耦合。

技术领域

集成组件。集成存储器(例如，DRAM)。进行电容器连接再分布的集成存储器。形成集成存储器的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且用于计算机系统中以存储数据。实例存储器为DRAM(动态随机存取存储器)。DRAM单元可各自包括与电容器组合的晶体管。DRAM单元可布置成阵列；其中字线沿着阵列的行延伸，且数字线沿着阵列的列延伸。字线可与存储器单元的晶体管耦合。每一存储器单元可经由字线中的一者与数字线中的一者的组合来唯一地寻址。

随着集成水平增加，电容器的紧密封装变得越来越重要。需要开发实现DRAM阵列的电容器的紧密封装且开发用于制造此类架构的方法的架构。

发明内容

一方面，本申请提供一种集成组件，其包括：有源区，其各自具有在一对电容器接触区之间的数字线接触区，所述电容器接触区布置成一图案，使得六个邻近的电容器接触区形成大体上矩形配置；导电插塞，其与电容器接触区耦合；导电再分布材料，其与导电插塞耦合，且穿过导电插塞到电容器接触区；导电再分布材料从导电插塞向上且横向向外延伸；导电再分布材料的上表面布置成一图案，使得七个邻近上表面形成大体上密排六方配置的单元；数字线，其在数字线接触区上方；绝缘区，其在数字线与导电插塞之间；绝缘区包括空隙和低k介电材料中的一者或两者，其中空隙和/或低k介电材料接触电容器接触区的上表面；以及电容器，其与导电再分布材料的上表面耦合。

另一方面，本申请进一步提供一种集成组件，其包括：半导体材料支柱，其各自具有在一对电容器接触区之间的数字线接触区；电容器接触区布置成阵列，其中阵列具有交替的第一和第二行；导电插塞，其与电容器接触区耦合；导电再分布材料，其与导电插塞耦合，且穿过导电插塞到电容器接触区；导电再分布材料具有沿着第一行的第一配置，其中第一配置在大体上沿着第一行的第一方向上从第一行的电容器接触区横向向外延伸；导电再分布材料具有沿着第二行的第二配置，其中第二配置在大体上沿着第二行的第二方向上从第二行的电容器接触区横向向外延伸；第二方向大体上与第一方向相反；导电再分布材料具有上表面；数字线，其在数字线接触区上方；绝缘区，其在数字线与导电插塞之间；绝缘区包括空隙和低k介电材料中的一者或两者，其中空隙和/或低k介电材料接触电容器接触区的上表面；以及电容器，其与导电再分布材料的上表面耦合。

又一方面，本申请进一步提供一种形成集成组件的方法，其包括：形成具有半导体材料支柱的构造，所述半导体材料支柱各自具有在一对电容器接触区之间的数字线接触区；电容器接触区布置成阵列，其中阵列具有交替的第一和第二行；数字线接触区沿着第一横截面与电容器接触区间隔开，所述第一横截面沿着第一行，且沿着第二横截面与电容器接触区间隔开，所述第二横截面沿着第二行；数字线沿着第一和第二横截面在数字线接触区正上方；导电插塞沿着第一和第二横截面在电容器接触区正上方；牺牲材料在导电插塞与数字线之间；去除牺牲材料以形成空隙区；形成跨越导电插塞延伸的绝缘块；形成沿着第一横截面延伸到导电插塞的第一开口，且形成沿着第二横截面延伸到导电插塞的第二开口；第一和第二开口分别具有第一形状和第二形状，其中第二形状大体上为第一形状的镜像；在第一和第二开口的第一和第二形状内形成导电再分布材料；以及形成与导电再分布材料耦合的电容器。

附图说明

图1为实例存储器阵列的区的图解性自上向下的视图。

图2为相对于图1的存储器阵列修改的实例存储器阵列的图解性自上向下的视图。