[发明专利]进行电容器连接再分布的集成存储器以及形成集成存储器的方法

权利要求书

1.一种集成组件，其包括：

有源区，其各自具有在一对电容器接触区之间的数字线接触区，所述电容器接触区布置成一图案，使得六个邻近的电容器接触区形成大体上矩形配置；

导电插塞，其与所述电容器接触区耦合；

导电再分布材料，其与所述导电插塞耦合，且穿过所述导电插塞到所述电容器接触区；所述导电再分布材料从所述导电插塞向上且横向向外延伸；所述导电再分布材料的上表面布置成一图案，使得七个邻近上表面形成大体上密排六方配置的单元；

数字线，其在所述数字线接触区上方；

绝缘区，其在所述数字线与所述导电插塞之间；所述绝缘区包括空隙和低k介电材料中的一者或两者，其中所述空隙和/或低k介电材料接触所述电容器接触区的上表面；以及

电容器，其与所述导电再分布材料的所述上表面耦合。

2.根据权利要求1所述的集成组件，其中：

所述电容器接触区布置成阵列；

所述阵列具有交替的第一和第二行；

所述导电再分布材料具有沿着所述第一行的第一配置，其中所述第一配置在大体上沿着所述第一行的第一方向上从所述第一行的所述电容器接触区横向向外延伸；以及

所述导电再分布材料具有沿着所述第二行的第二配置，其中所述第二配置在大体上沿着所述第二行的第二方向上从所述第二行的所述电容器接触区横向向外延伸；所述第二方向大体上与所述第一方向相反。

3.根据权利要求1所述的集成组件，其中：

所述有源区为半导体材料支柱；

所述支柱中的每一者具有在其中延伸的两个沟槽，其中所述两个沟槽为第一沟槽和第二沟槽；

所述支柱中的每一者具有所述电容器接触区中的两者和所述数字线接触区中的一者，其中所述两个电容器接触区为第一电容器接触区和第二电容器接触区；

第一字线在所述第一沟槽内且将所述第一电容器接触区以选通方式耦合到所述数字线接触区；以及

第二字线在所述第二沟槽内且将所述第二电容器接触区以选通方式耦合到所述电容器接触区。

4.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述导电插塞包括导电掺杂半导体材料。

5.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述导电插塞包括导电掺杂硅。

6.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述绝缘区包括所述空隙。

7.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述绝缘区包括所述低k介电材料。

8.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述绝缘区包括所述空隙和所述低k介电材料。

9.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述导电再分布材料包括金属硅化物上的金属。

10.根据权利要求9所述的集成组件，其中所述金属基本上由钨和钛中的一者或两者组成；且其中所述金属硅化物包括一或多个硅化钴、硅化钨和硅化钛。

11.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述绝缘区在所述数字线上方延伸。

12.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述绝缘区在至少一些所述数字线下方延伸。

13.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述绝缘区包含在所有所述数字线上方延伸且在一些所述数字线下方延伸的低k介电材料。