[发明专利]一种IGZO阵列基板及其配线结构在审

专利信息
申请号: 202111485613.5 申请日: 2021-12-07
公开(公告)号: CN114023775A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 宋安鑫;韩正宇;李元行;魏华 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种IGZO阵列基板及其配线结构,包括玻璃基板,所述玻璃基板的上表面固定连接栅极绝缘层,所述栅极绝缘层与玻璃基板的之间的位置设置金属栅极,所述金属栅极固定安装在玻璃基板的上表面,所述栅极绝缘层的上表面固定连接半导体有源层,所述半导体有源层上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极。本发明优化绝缘层开孔工艺,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,减小TFT‑LCD配线区寄生电容并优化框胶固化工艺,通过栅极绝缘层底部垫层搭配化学性蚀刻+物理性蚀刻开洞的方式,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,通过配线区采用dule trace及double trace搭配的方式,实现减小寄生电容及优化框胶固化的目的。
搜索关键词: 一种 igzo 阵列 及其 结构
【主权项】:
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