[发明专利]一种IGZO阵列基板及其配线结构在审
申请号: | 202111485613.5 | 申请日: | 2021-12-07 |
公开(公告)号: | CN114023775A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 宋安鑫;韩正宇;李元行;魏华 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种IGZO阵列基板及其配线结构,包括玻璃基板,所述玻璃基板的上表面固定连接栅极绝缘层,所述栅极绝缘层与玻璃基板的之间的位置设置金属栅极,所述金属栅极固定安装在玻璃基板的上表面,所述栅极绝缘层的上表面固定连接半导体有源层,所述半导体有源层上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极。本发明优化绝缘层开孔工艺,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,减小TFT‑LCD配线区寄生电容并优化框胶固化工艺,通过栅极绝缘层底部垫层搭配化学性蚀刻+物理性蚀刻开洞的方式,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,通过配线区采用dule trace及double trace搭配的方式,实现减小寄生电容及优化框胶固化的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 igzo 阵列 及其 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的