[发明专利]一种IGZO阵列基板及其配线结构

权利要求书

1.一种IGZO阵列基板，包括玻璃基板（1），其特征在于：所述玻璃基板（1）的上表面固定连接栅极绝缘层（2），所述栅极绝缘层（2）与玻璃基板（1）的之间的位置设置金属栅极（3），所述金属栅极（3）固定安装在玻璃基板（1）的上表面，所述栅极绝缘层（2）的上表面固定连接半导体有源层（4），所述半导体有源层（4）上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极（5），所述金属源漏极（5）的上表面紧贴钝化层PV一（6）的底面，所述钝化层PV一（6）固定安装在栅极绝缘层（2）的上表面，所述钝化层PV一（6）的上表面固定连接钝化层PV二（7），所述钝化层PV二（7）的上表面左右两侧的位置分别固定连接有机平坦层（8），所述有机平坦层（8）的上表面固定连接触控电极（9），所述钝化层PV二（7）上表面中间的位置固定连接钝化层VA一（10），所述钝化层VA一（10）的上表面固定连接钝化层VA二（11），所述钝化层VA二（11）的上表面左右两侧的位置分别固定连接公共电极（12），所述公共电极（12）的上表面固定连接钝化层CH一（13），所述钝化层CH一（13）的上表面固定连接钝化层CH二（14），所述钝化层CH二（14）的上表面固定连接像素电极（15），所述玻璃基板（1）的外表面设置封框胶区（16）。

2.根据权利要求1所述的一种IGZO阵列基板，其特征在于：所述金属源漏极（5）固定安装在栅极绝缘层（2）的上表面，其中一处所述金属源漏极（5）的上表面固定连接像素电极（15）的底部。

3.根据权利要求1所述的一种IGZO阵列基板，其特征在于：所述像素电极（15）贯穿钝化层CH二（14）、钝化层CH一（13）、钝化层VA二（11）、钝化层VA一（10）、钝化层PV二（7）和钝化层PV一（6）的内部。

4.根据权利要求1所述的一种IGZO阵列基板，其特征在于：所述触控电极（9）设置在其中一处所述有机平坦层（8）的上表面，所述触控电极（9）的上表面固定连接公共电极（12）。

5.根据权利要求1所述的一种IGZO阵列基板，其特征在于：所述金属栅极（3）的上表面紧贴栅极绝缘层（2）的底面，所述金属栅极（3）的外表面被栅极绝缘层（2）包裹。

6.根据权利要求1所述的一种IGZO阵列基板，其特征在于：所述钝化层PV一（6）包裹两个金属源漏极（5），所述金属源漏极（5）的一侧面低端设置为开口，所述半导体有源层（4）的左右两端分别设置两个金属源漏极（5）的开口处。

7.一种配线结构，其特征在于，应用于如权利要求1-6中任意一项所述的IGZO阵列基板。

8.根据权利要求7所述的一种配线结构，其特征在于：所述配线结构的配线区采用dualtrace与double trace搭配的方式，在封框胶区（16）域外，采用可减小配线区寄生电容的dual trace结构，封框胶区（16）域采用double trace结构。