[发明专利]一种IGZO阵列基板及其配线结构

说明书

本发明公开了一种IGZO阵列基板及其配线结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板的上表面固定连接栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与玻璃基板的之间的位置设置金属栅极，所述金属栅极固定安装在玻璃基板的上表面，所述栅极绝缘层的上表面固定连接半导体有源层，所述半导体有源层上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极。本发明优化绝缘层开孔工艺，解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险，减小TFT‑LCD配线区寄生电容并优化框胶固化工艺，通过栅极绝缘层底部垫层搭配化学性蚀刻+物理性蚀刻开洞的方式，解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险，通过配线区采用dule trace及double trace搭配的方式，实现减小寄生电容及优化框胶固化的目的。

技术领域

本发明属于IGZO TFT-LCD阵列基板的设计技术领域，具体涉及一种IGZO阵列基板及其配线结构。

背景技术

铟镓锌氧化物IGZO(indium gallium zinc oxide)，其载流子迁移率为非晶硅的20-30倍，可以实现超高的分辨率的TFT-LCD，同时由于其高透明性，低成本，低制造温度等特点，在工业生产中得到广泛应用。

TFT-LCD显示装置通常由阵列基板、彩膜基板及背光模块组成，其中阵列基板及彩膜基板通过框胶连接。阵列基板中，包括显示区域及非显示区域， 显示区域设置有多个薄膜晶体管（TFT）、多条数据线及多条栅极线，为了给显示区域每个TFT施加相应的电压，需要在阵列基板的非显示区域设置多条配线，所述配线与数据线或栅极线相连接，将外界电压输入到显示区TFT。阵列基板非显示区还包含一封框胶区域，上述配线横跨所述封框胶区域，通过UV光照射使得框胶固化，连接阵列基板与彩膜基板。

由于IGZO对H离子较为敏感，因此现有IGZO-TFT工艺中，源漏极上方绝缘保护层PV通常使用SiOx材料；但TIC架构中，触控电极CM上方钝化层VA及公共电极上方钝化层CH通常使用SiNx材料，像素电极通过开孔工艺与源漏电极相连接，需对PV、VA、CH进行蚀刻处理，由于SiOx与SiNx材料蚀刻速率比不同，在开孔工艺中，若采用化学性蚀刻+物理性蚀刻方式，绝缘层界面处易形成undercut，影响后续像素电极与源漏电极搭接；若采用完全物理性蚀刻方式，则易造成过蚀刻导致源漏电极金属减薄，造成阻抗过大等风险。

同时现有TFT-LCD配线工艺，通常采用double trace或dule trace方式，常规double trace工艺，配线区存在较大寄生电容，dule trace工艺，由于配线过于密集，且配线通常由不透光的金属制成，因此配线会影响封框胶的UV固化效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种IGZO阵列基板及其配线结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种IGZO阵列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板的上表面固定连接栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与玻璃基板的之间的位置设置金属栅极，所述金属栅极的上表面紧贴栅极绝缘层的底面，所述金属栅极的外表面被栅极绝缘层包裹，所述金属栅极固定安装在玻璃基板的上表面，所述栅极绝缘层的上表面固定连接半导体有源层，所述半导体有源层上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极，所述金属源漏极的上表面紧贴钝化层PV一的底面，所述钝化层PV一固定安装在栅极绝缘层的上表面，所述钝化层PV一的上表面固定连接钝化层PV二，所述钝化层PV二的上表面左右两侧的位置分别固定连接有机平坦层，所述有机平坦层的上表面固定连接触控电极，所述钝化层PV二上表面中间的位置固定连接钝化层VA一，所述钝化层VA一的上表面固定连接钝化层VA二，所述钝化层VA二的上表面左右两侧的位置分别固定连接公共电极，所述公共电极的上表面固定连接钝化层CH一，所述钝化层CH一的上表面固定连接钝化层CH二，所述钝化层CH二的上表面固定连接像素电极，所述像素电极贯穿钝化层CH二、钝化层CH一、钝化层VA二、钝化层VA一、钝化层PV二和钝化层PV一的内部，所述玻璃基板的外表面设置封框胶区。