[发明专利]存储器单元阵列下方的多路复用器在审
| 申请号： | 202111459049.X | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114913898A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 何源;T·H·金 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/24;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及存储器单元阵列下方的多路复用器。感测放大器可形成于存储器单元的竖直堆叠层的阵列的外部/水平邻近处。可经由形成于所述阵列下方的多路复用器感测存储器单元，所述多路复用器可操作以将(所述存储器单元耦合到的)竖直感测线耦合到(所述感测放大器耦合到的)水平感测线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 下方 多路复用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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