[发明专利]加热器阵列及包括加热器阵列的基板处理装置在审
| 申请号： | 202111453286.5 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114695178A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李忠禹;全盛鍊;朴仁奎;张容硕 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H05B1/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 王蕊;臧建明 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种加热器阵列及包括加热器阵列的基板处理装置。基板处理装置可以包括能够执行所需工序的工程腔室、配置在所述工程腔室内的支撑单元及配置在所述支撑单元的加热器阵列。所述加热器阵列可以包括提供多个加热区域的多个加热器、分别电连接于所述多个加热器的多个二极管及操作所述多个加热器的控制器。其中，在所述多个加热区域内相邻的二极管可以向相反方向排列。本发明能够减少用于所述加热器阵列的控制线路的数量，所述加热器阵列为了提供较多加热区域而包括较多加热器的情况下，包括所述加热器阵列的基板处理装置也能够具有简化的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 加热器 阵列 包括 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
