[发明专利]加热器阵列及包括加热器阵列的基板处理装置在审
申请号: | 202111453286.5 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114695178A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 李忠禹;全盛鍊;朴仁奎;张容硕 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B1/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王蕊;臧建明 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热器 阵列 包括 处理 装置 | ||
1.一种加热器阵列,其特征在于,包括:
提供多个加热区域的多个加热器;
分别电连接于所述多个加热器的多个二极管;以及
操作所述多个加热器的控制器,
其中,在所述多个加热区域内相邻的二极管向相对的方向排列。
2.根据权利要求1所述的加热器阵列,其特征在于:
所述加热器阵列具有2x 2的矩阵结构,与配置在所述矩阵结构的第一列的加热器电连接的二极管的方向和与配置在所述矩阵结构的第二列的加热器电连接的二极管的方向相反。
3.根据权利要求1所述的加热器阵列,其特征在于:
所述加热器阵列具有N x N的矩阵结构,与配置在所述矩阵结构的奇数列的加热器电连接的二极管的方向和与配置在所述矩阵结构的偶数列的加热器电连接的二极管的方向相反,
其中,N为正整数。
4.根据权利要求1所述的加热器阵列,其特征在于:
所述控制器包括用于操作所述多个加热器的多个控制线路。
5.根据权利要求4所述的加热器阵列,其特征在于:
所述加热器阵列具有2x 2的矩阵结构,用于操作所述矩阵结构的2x 2个加热器的所述控制线路的数量为3个。
6.根据权利要求4所述的加热器阵列,其特征在于:
所述加热器阵列具有N x N的矩阵结构,用于操作所述矩阵结构的N x N个的加热器的所述控制线路的数量为(N+N)/2个。
7.根据权利要求1所述的加热器阵列,其特征在于:
所述控制器包括用于操作所述多个加热器的多个开关。
8.根据权利要求7所述的加热器阵列,其特征在于:
所述加热器阵列具有矩阵结构,所述控制器包括与配置在所述矩阵结构的列的加热器电连接的第一开关及与配置在所述矩阵结构的行的加热器电连接的第二开关。
9.根据权利要求7所述的加热器阵列,其特征在于:
所述加热器阵列具有2x 2的矩阵结构,所述控制器包括2个第一开关及4个第二开关。
10.根据权利要求8所述的加热器阵列,其特征在于:
所述加热器阵列具有N x N的矩阵结构,所述控制器包括N个第一开关及2N个第二开关。
11.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
能够执行所需工序的工程腔室;
配置在所述工程腔室内的支撑单元;以及
配置在所述支撑单元的加热器阵列,
其中,所述加热器阵列包括提供多个加热区域的多个加热器、分别电连接于所述多个加热器的多个二极管及操作所述多个加热器的控制器,
在所述多个加热区域内相邻的二极管向相对方向排列。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于:
所述工程腔室包括蚀刻腔室、沉积腔室、溅射腔室、涂布腔室、曝光腔室、显影腔室、清洗腔室或干燥腔室。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于:
所述支撑单元为板状,所述加热器阵列具有矩阵结构。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于:
所述加热器阵列具有2x 2的矩阵结构,与配置在所述矩阵结构的第一列的加热器电连接的二极管的方向和与配置在所述矩阵结构的第二列的加热器电连接的二极管的方向相反。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造