[发明专利]一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备在审
| 申请号： | 202111450076.0 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114141296A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 陈晖;张丽丽;朱星宇;明振东 | 申请（专利权）人： | 深圳市嘉合劲威电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C29/18 |
| 代理公司： | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人： | 王月 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区龙田街道老*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种双晶内存条上下位的修补方法和装置，包括：依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整×16IC双晶封装的PCB板的布局。通过上述方法可对不良品的DDP类型封装的内存进行修补，利用出厂的内存IC存在不良产品，通过修补使其变为合格产品，有效的利用了不良产品，节省资源，同时也在一定程度上有利于环境的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双晶 内存条 下位 修补 方法 装置 设备 | ||
【主权项】：
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