[发明专利]一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备

说明书

本申请提供了一种双晶内存条上下位的修补方法和装置，包括：依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整×16IC双晶封装的PCB板的布局。通过上述方法可对不良品的DDP类型封装的内存进行修补，利用出厂的内存IC存在不良产品，通过修补使其变为合格产品，有效的利用了不良产品，节省资源，同时也在一定程度上有利于环境的保护。

技术领域

本申请涉及内存芯片技术领域，特别是一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备。

背景技术

内存，也称为随机存取存储器(英语：Random Access Memory，缩写：RAM)，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外)，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。

然而内存厂商，在晶园生产及IC封装的制作过程，并无法达到100％的良品。

目前，内存厂商产生的不良品在10～15％左右，造成了大量的资源浪费，由于内存IC、封装过程中会用到贵重金属，若将不良品进行销毁，同样也会造成进一步的资源浪费；而目前通过化工方式提取贵重金属在一定程度上会造成环境的污染。

发明内容

鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备，包括：

一种双晶内存条上下位的修补方法，应用于×16双晶封装的不良IC的重组封装，所述方法包括：

依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；其中，所述分组包括A组、B组、C组、D组和E组；所述不良区域类型为地址线位区域；其中，所述A组区域为0-3位，B组区域为4-7位，C组区域为8-11位，D组区域为12-15位，E组区域为8-15位；

从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；

依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整×16IC双晶封装的PCB板的布局。

可选地，所述依据不良IC的类型和不良区域进行分组，将所述分组包括A组、B组、C组、D组和E组之前的步骤，包括：

依据对应于不良IC的正常IC的正常地址线位，确定地址线住的正常二极体值和误差阈值；

检测不良IC的每位地址线位的二极体，并与所述正常二极体值和所述误差值进行比对，若出现不正常值，则确定为不良地址线位；

依据不良地址线位确定所述不良IC的所述不良区域。

可选地，所述依据不良IC的类型和不良区域进行分组，将所述分组包括A组、B组、C组、D组和E组的步骤，包括：

依据不良IC的类型，检测不良IC的地址线位，确定所述不良IC内地址线位的不良区域；

依据所述地址线位的不良区域划分所述不良IC为5个分组；其中，所述地址线组包括不良区域仅为0-3位的A分组、不良区域仅为4-7位的B分组、不良区域仅为8-11位的C组、不良区域仅为12-15位的D分组和不良区域仅为8-15位的E分组。