[发明专利]一种双晶内存条上下位的修补方法、装置及设备

权利要求书

1.一种双晶内存条上下位的修补方法，其特征在于，应用于×16双晶封装的不良IC的重组封装，所述方法包括：

依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组；其中，所述分组包括A组、B组、C组、D组和E组；所述不良区域类型为地址线位区域；其中，所述A组区域为0-3位，B组区域为4-7位，C组区域为8-11位，D组区域为12-15位，E组区域为8-15位；

从所述A组、B组、C组、D组和E组中选择其中两组不良IC，以及从选中的其中一组选择至少2个不良IC，从选中的另一组选择至少1个不良IC，并依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区；

依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整×16IC双晶封装的PCB板的布局。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据不良IC的类型和不良区域进行分组，将所述分组包括A组、B组、C组、D组和E组之前的步骤，包括：

依据对应于所述不良IC的正常IC的正常地址线位，确定地址线住的正常二极体值和误差阈值；

检测所述不良IC的每位地址线位的二极体，并与所述正常二极体值和所述误差值进行比对，若出现不正常值，则确定为不良地址线位；

依据不良地址线位确定所述不良IC的所述不良区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据不良IC的类型和不良区域，对所述不良IC进行分组的步骤，包括：

依据不良IC的类型，检测不良IC的地址线位，确定所述不良IC内地址线位的不良区域；

依据所述地址线位的不良区域划分所述不良IC为5个分组；其中，所述地址线组包括不良区域仅为0-3位的A分组、不良区域仅为4-7位的B分组、不良区域仅为8-11位的C组、不良区域仅为12-15位的D分组和不良区域仅为8-15位的E分组。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述不良IC的分组和预设规则，划分所述不良IC中地址线位的IC位区的步骤，包括：

依据所述不良IC的分组确定所述不良IC中可用的地址线位；

依据所述预设规则将所述不良IC中可用的地址线位组合成所述IC位区。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述依据所述预设规则将所述不良IC中可用的地址线位组合成所述IC位区的步骤，包括：

当所述PCB板的MDQ数位顺序为64位时，依据所述不良IC中可用的地址线位和可用的地址线位的类型确定所述IC位区；其中，所述IC位区的数量为8个，且所述IC位区包括8个可用的地址线位。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述依据所述预设规则将所述不良IC中可用的地址线位组合成所述IC位区的步骤，包括：

当所述PCB板的MDQ数位顺序为32位时，依据所述不良IC中可用的地址线位和可用的地址线位的类型确定所述IC位区；其中，所述IC位区的数量为4个，且所述IC位区包括8个可用的地址线位。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述IC位区和所述不良IC的类型，调整×16IC单晶封装的PCB板的布局的步骤，包括：

依据所述IC位区确定所述不良IC的排列顺序；

依据所述不良IC的类型和所述不良IC的排列顺序，调整所述PCB板的布局；

其中，所述PCB板的布局调整包括：

设置内存PCB板上的电阻R26、R29、R31、R34、R72、R73、R76、R77、R80、R83、R118以及R119为240欧姆，使E9信号位通过240欧姆的电阻接地；

设置所述内存PCB板T7引脚接地；

短接所述内存PCB板跳线Y1～Y6中各自的第2引脚和第3引脚；

设置内存PCB板的第207金手指与M9信号线连接。