[发明专利]栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法在审
| 申请号： | 202111422193.6 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114068687A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈莉芬;周颖;刘宇;谢朝军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅间氧化层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有图案化的掩模层，衬底中形成有若干沟槽；对所述图案化的掩模层执行回拉工艺，以扩大所述图案化的掩模层的开口的尺寸；形成屏蔽栅结构及栅间氧化层材料；对栅间氧化层材料执行干法蚀刻工艺且干法蚀刻的蚀刻深度占预设蚀刻深度的50％～90％；对栅间氧化层材料执行湿法蚀刻工艺至与预设蚀刻深度，形成栅间氧化层。本发明中，利用干法蚀刻对栅间氧化层材料的膜层质量相对不敏感使得蚀刻栅间氧化层材料的表面较为平坦，再湿法蚀刻栅间氧化层材料至预设蚀刻深度，利用湿法蚀刻的各向同性蚀刻去除位于沟槽侧壁的栅间氧化层材料，并蚀刻至预设蚀刻深度，从而形成表面平坦的栅间氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 屏蔽 沟槽 器件 | ||
【主权项】：
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