[发明专利]栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法

权利要求书

1.一种栅间氧化层的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有图案化的掩模层，所述衬底中形成有若干沟槽，所述图案化的掩模层的开口暴露所述沟槽，且所述图案化的掩模层的边缘凸出所述沟槽的开口；

对所述图案化的掩模层执行回拉工艺，以扩大所述图案化的掩模层的开口的尺寸；

形成屏蔽栅结构及栅间氧化层材料，所述屏蔽栅结构填充所述沟槽的底部，所述栅间氧化层材料覆盖所述屏蔽栅结构并填充所述沟槽；

对所述栅间氧化层材料执行干法蚀刻，且所述干法蚀刻的蚀刻深度占预设蚀刻深度的50％～90％；以及，

对所述栅间氧化层材料执行湿法蚀刻，直至达到所述预设蚀刻深度，并以剩余的所述栅间氧化层材料作为栅间氧化层。

2.根据权利要求1所述的栅间氧化层的形成方法，其特征在于，所述图案化的掩模层包括氧化硅层及形成于所述氧化硅层上的氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的栅间氧化层的形成方法，其特征在于，对所述图案化的掩模层执行回拉工艺后，所述图案化的掩模层的边缘超出所述沟槽的开口的尺寸小于10埃。

4.根据权利要求3所述的栅间氧化层的形成方法，其特征在于，所述回拉工艺包括利用磷酸溶液蚀刻所述图案化的掩模层。

5.根据权利要求1所述的栅间氧化层的形成方法，其特征在于，所述屏蔽栅结构包括位于所述沟槽底部的屏蔽栅及沿所述屏蔽栅的侧壁部分包围所述屏蔽栅的屏蔽介质层。

6.根据权利要求1所述的栅间氧化层的形成方法，其特征在于，形成所述栅间氧化层材料的步骤包括：

利用HDP-CVD工艺形成所述栅间氧化层材料，以填充所述沟槽至所述图案化的掩模层的上方；

以所述图案化的掩模层为研磨停止层，对所述栅间氧化层材料执行化学机械研磨。

7.根据权利要求1所述的栅间氧化层的形成方法，其特征在于，对所述栅间氧化层材料执行干法蚀刻，且所述干法蚀刻的蚀刻深度占预设蚀刻深度的70％～85％。

8.根据权利要求7所述的栅间氧化层的形成方法，其特征在于，对所述栅间氧化层材料执行干法蚀刻过程中，所采用的刻蚀气体包括氯基气体或氟基气体。

9.根据权利要求8所述的栅间氧化层的形成方法，其特征在于，对所述栅间氧化层材料执行湿法蚀刻过程中，所采用的蚀刻液体包括缓冲氢氟酸溶液。

10.一种屏蔽栅沟槽型器件的形成方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1至9中任一项所述的栅间氧化层的形成方法形成屏蔽栅结构以及位于所述屏蔽栅结构顶面上的栅间氧化层；以及，

在所述沟槽中形成栅极结构，所述栅极结构通过所述栅间氧化层与所述屏蔽栅结构隔离。