[发明专利]一种晶圆刻蚀设备有效
| 申请号： | 202111419647.4 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113964067B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陈金凌;王锡胜;李敏 | 申请（专利权）人： | 江苏威森美微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 盐城博思维知识产权代理事务所(普通合伙) 32485 | 代理人： | 翁文彬 |
| 地址： | 224500 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体加工技术领域，具体的说是一种晶圆刻蚀设备，包括刻蚀池、防护罩、第一缸体和伸缩杆，所述刻蚀池上安装有防护罩，在浸入过程中，伸缩杆推动第一活塞下沉，将第一缸体内的空气推进第二缸体内，在活塞杆的配合下，能够将电极球与螺杆底侧的电极板接触，实现对警示灯的通电，在通电后，PLC处理器接收信号，实现推料气缸的提升作业，在丝线的配合下，实现对刻蚀盒的提升，对排气管上的单向阀进行调整，能够在第二活塞上升过程中，实现对第二缸体顶部顶部气体的限流释放，能够对浸泡时间进行调整，能够对刻蚀时间准确把控，保证刻蚀质量，能够实现气体内循环，保证刻蚀废气不外溢，保护生产的气体环境，保证刻蚀安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
