[发明专利]一种晶圆刻蚀设备

说明书

本发明属于半导体加工技术领域，具体的说是一种晶圆刻蚀设备，包括刻蚀池、防护罩、第一缸体和伸缩杆，所述刻蚀池上安装有防护罩，在浸入过程中，伸缩杆推动第一活塞下沉，将第一缸体内的空气推进第二缸体内，在活塞杆的配合下，能够将电极球与螺杆底侧的电极板接触，实现对警示灯的通电，在通电后，PLC处理器接收信号，实现推料气缸的提升作业，在丝线的配合下，实现对刻蚀盒的提升，对排气管上的单向阀进行调整，能够在第二活塞上升过程中，实现对第二缸体顶部顶部气体的限流释放，能够对浸泡时间进行调整，能够对刻蚀时间准确把控，保证刻蚀质量，能够实现气体内循环，保证刻蚀废气不外溢，保护生产的气体环境，保证刻蚀安全。

技术领域

本发明属于半导体加工技术领域，具体的说是一种晶圆刻蚀设备。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种；

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品，晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999％；

现有技术中也出现了一些关于半导体加工的技术方案，如申请号为CN107507793B的一项中国专利公开了一种刻蚀设备，包括刻蚀腔室，以及收容所述刻蚀腔室的可旋转的承载平台、与承载平台的表面平行的上电极板、下电极板及两个遮挡板；下电极板设于所述承载平台上，上电极板设于所述刻蚀腔室顶部，两个遮挡板设于所述上电极板与下电极板之间且所述遮挡板相对承载平台移动，两个遮挡板以所述承载平台的轴线对称设置，每一遮挡板在承载平台的表面的正投影由承载平台的轴心沿着承载平台的旋转轨迹的半径延伸，遮挡板正投影的长度与所述半径长度相等，所述基板由轴心向外包括中心区和边缘区，通过改变所述遮挡板垂直于所述半径方向的宽度或者和承载平台旋转的旋转角速度以使位于基板的中心区和边缘区被刻蚀深度相同，以上发明方案中，在刻蚀过程中，不能准确把控刻蚀的时间周期，不能保证刻蚀的质量；

针对上述发明中的问题，在晶圆的加工过程中，需要进行刻蚀，湿式刻蚀，通过浸泡实现刻蚀，在刻蚀时，对刻蚀周期只能大致掌控，操作过程不稳定，刻蚀周期不同，影响刻蚀效果，影响良品率，在刻蚀过程中，会产生大量废气，废气外溢，容易对破坏空气环境，同时刻蚀废气容易爆炸，影响生产安全。

为此，本发明提供一种晶圆刻蚀设备。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，解决在刻蚀时，对刻蚀周期只能大致掌控，操作过程不稳定，刻蚀周期不同，影响刻蚀效果，影响良品率，在刻蚀过程中，会产生大量废气，废气外溢，容易对破坏空气环境，同时刻蚀废气容易爆炸，影响生产安全的问题，本发明提出的一种晶圆刻蚀设备。