[发明专利]一种晶圆刻蚀设备有效
| 申请号: | 202111419647.4 | 申请日: | 2021-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN113964067B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
| 发明(设计)人: | 陈金凌;王锡胜;李敏 | 申请(专利权)人: | 江苏威森美微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 盐城博思维知识产权代理事务所(普通合伙) 32485 | 代理人: | 翁文彬 |
| 地址: | 224500 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 刻蚀 设备 | ||
1.一种晶圆刻蚀设备,包括刻蚀池(1)、防护罩(2)、PLC处理器(3)、支撑架(4)、第一导向轮(5)、推料气缸(6)、气动杆(7)、刻蚀盒(8)、摆动合页(9)、第一活塞(10)、第一缸体(11)和伸缩杆(12),所述刻蚀池(1)上安装有防护罩(2),其特征在于:所述刻蚀池(1)的内壁一侧通过摆动合页(9)配合安装有刻蚀盒(8),所述刻蚀盒(8)的上下两侧内壁上安装有多个第一导向轮(5),所述刻蚀盒(8)上开设气孔(13),所述刻蚀盒(8)的底侧和刻蚀池(1)的一侧内壁上均设置有连接座,所述伸缩杆(12)的顶端通过销轴配合安装在刻蚀盒(8)底侧的连接座内,所述伸缩杆(12)的底端安装有第一活塞(10),所述刻蚀池(1)的一侧内壁上的连接座通过销轴配合安装有第一缸体(11),所述第一活塞(10)设置在第一缸体(11)内,所述刻蚀池(1)的外壁一侧固定有第二缸体(101),所述第二缸体(101)和所述第一缸体(11)通过导管连通,所述第二缸体(101)的内部设置有第二活塞(107),所述第二活塞(107)的顶侧竖直设置有活塞杆(109),所述活塞杆(109)的顶端固接有电极球(104),所述活塞杆(109)的底部套设有第一弹簧(110),所述第二缸体(101)的顶侧安装有安装架,所述安装架的顶侧横板内开设有螺孔,所述螺孔内配合安装有螺杆(106),所述螺杆(106)的底端固定有电极板(108),所述安装架的一侧安装有警示灯(105)。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述第二缸体(101)的中部和底部分别连接有排气管(103)和进气管(102),所述排气管(103)和进气管(102)上均安装有单向阀。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述刻蚀池(1)上焊装有支撑架(4),所述支撑架(4)上安装有推料气缸(6),所述推料气缸(6)的作用端安装有气动杆(7),所述刻蚀盒(8)的顶侧设置有线环,所述气动杆(7)的底端与线环通过丝线连接。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述支撑架(4)上安装有PLC处理器(3),所述PLC处理器(3)与警示灯(105)通过信号连接,所述电极球(104)、警示灯(105)和电极板(108)通过导线串联连接。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述防护罩(2)的顶侧安装有处理箱(301)和第三缸体(308),所述第三缸体(308)上安装有摆动电机(303),所述摆动电机(303)的转轴上安装有旋转盘(304),所述旋转盘(304)的端面偏心位置上通过销轴配合安装有连杆(305),所述连杆(305)的底端吊装有第三活塞(307),所述处理箱(301)和第三缸体(308)通过U型管(302)连通。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述第三缸体(308)的底部连接有抽气管(306),所述防护罩(2)上设置有进气孔,所述处理箱(301)与进气孔通过软管连接,所述抽气管(306)和软管上均设置有单向阀。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述防护罩(2)上固定有导料盒(201),所述导料盒(201)的上下两侧内壁上均安装有第二导向轮(202),所述导料盒(201)的底部端口上下两侧分别安装有安装座(203),所述安装座(203)内部通过固定轴安装有密封板(204),所述固定轴的两端安装有簧片。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述导料盒(201)的底部端口设置在刻蚀盒(8)的顶部端口上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





