[发明专利]集成电路弹坑实验方法在审
| 申请号： | 202111419098.0 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114062240A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张美宣 | 申请（专利权）人： | 苏州日月新半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N17/00 | 分类号： | G01N17/00;B01F23/40;B01F35/80 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 215021 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种集成电路弹坑实验方法。所述集成电路弹坑实验方法包括去除集成电路产品的塑封体以暴露所述集成电路产品的芯片表面；将所述集成电路产品浸泡于含碘熔液中以进行弹坑实验；清洗经过弹坑实验的所述集成电路产品并观察经过弹坑实验的所述集成电路产品。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 弹坑 实验 方法 | ||
【主权项】：
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