[发明专利]集成电路弹坑实验方法在审
| 申请号： | 202111419098.0 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114062240A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张美宣 | 申请（专利权）人： | 苏州日月新半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N17/00 | 分类号： | G01N17/00;B01F23/40;B01F35/80 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 215021 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 弹坑 实验 方法 | ||
1.一种集成电路弹坑实验方法，其特征在于，包括：
去除集成电路产品的塑封体以暴露所述集成电路产品的芯片表面；
将所述集成电路产品浸泡于含碘熔液中以进行弹坑实验；
清洗经过弹坑实验的所述集成电路产品并观察经过弹坑实验的所述集成电路产品。
2.如权利要求1所述的集成电路弹坑实验方法，其特征在于，所述集成电路产品包括砷化镓衬底以及形成于所述砷化镓衬底之上的镍层和金垫层。
3.如权利要求2所述的集成电路弹坑实验方法，其特征在于，将所述集成电路产品浸泡于所述含碘熔液中包括：
配置碘与碘化钾混合溶液；以及
将所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液。
4.如权利要求3所述的集成电路弹坑实验方法，其特征在于，配置所述碘与碘化钾混合溶液包括：
将碘与碘化钾以1:4比例配置所述碘与碘化钾混合溶液。
5.如权利要求3所述的集成电路弹坑实验方法，其特征在于，配置所述碘与碘化钾混合溶液包括：
将碘与碘化钾以1:5比例配置所述碘与碘化钾混合溶液。
6.如权利要求3所述的集成电路弹坑实验方法，其特征在于，配置所述碘与碘化钾混合溶液包括：
将碘与碘化钾以1:4～1:5比例配置所述碘与碘化钾混合溶液。
7.如权利要求4-6任一项所述的集成电路弹坑实验方法，其特征在于，所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液后的时长少于10分钟。
8.如权利要求7所述的集成电路弹坑实验方法，其特征在于，所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液后的时长为5分钟。
9.如权利要求7所述的集成电路弹坑实验方法，其特征在于，所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液直到所述金垫层被完全去除。
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