[发明专利]集成电路弹坑实验方法

说明书

一种集成电路弹坑实验方法。所述集成电路弹坑实验方法包括去除集成电路产品的塑封体以暴露所述集成电路产品的芯片表面；将所述集成电路产品浸泡于含碘熔液中以进行弹坑实验；清洗经过弹坑实验的所述集成电路产品并观察经过弹坑实验的所述集成电路产品。

技术领域

本申请是有关于一种方法，详细来说，是有关于一种集成电路弹坑实验方法。

背景技术

传统上，在进行集成电路产品的弹坑分析实验时，反应溶液不均匀，集成电路产品在反应溶液中浸泡时，连接垫(pad)的反应程度不同，使得反应难以控制。并且，反应过程中反应溶液会产生气泡，导致集成电路产品随气泡翻滚，撞击杯壁，提高产品破损的风险。另外，目前的反应溶液会对芯片本身进行腐蚀，造成芯片损伤，导致对实验结果的误判。

发明内容

有鉴于此，本申请提出一种集成电路弹坑实验方法来解决上述问题。

依据本申请的一实施例，提出一种集成电路弹坑实验方法。所述集成电路弹坑实验方法包括去除集成电路产品的塑封体以暴露所述集成电路产品的芯片表面；将所述集成电路产品浸泡于含碘熔液中以进行弹坑实验；清洗经过弹坑实验的所述集成电路产品并观察经过弹坑实验的所述集成电路产品。

依据本申请的一实施例，所述集成电路产品包括砷化镓衬底以及形成于所述砷化镓衬底之上的镍层和金垫层。

依据本申请的一实施例，将所述集成电路产品浸泡于所述含碘熔液中包括：配置碘与碘化钾混合溶液；以及将所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液。

依据本申请的一实施例，配置所述碘与碘化钾混合溶液包括：将碘与碘化钾以1:4比例配置所述碘与碘化钾混合溶液。

依据本申请的一实施例，配置所述碘与碘化钾混合溶液包括：将碘与碘化钾以1:5比例配置所述碘与碘化钾混合溶液。

依据本申请的一实施例，配置所述碘与碘化钾混合溶液包括：将碘与碘化钾以1:4～1:5比例配置所述碘与碘化钾混合溶液。

依据本申请的一实施例，所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液后的时长少于10分钟。

依据本申请的一实施例，所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液后的时长为5分钟。

依据本申请的一实施例，所述集成电路产品浸泡于所述碘与碘化钾混合溶液直到所述金垫层被完全去除。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1演示依据本申请一实施例之集成电路弹坑实验方法的流程图。

图2演示依据本申请一实施例之集成电路产品的示意图。

图3演示依据本申请一实施例之步骤11的详细流程图。

图4演示依据本申请一实施例之步骤12的详细流程图。

图5演示在显微镜下观察采用集成电路弹坑实验方法得到的集成电路产品的示意图。

具体实施方式

以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。